电力电子技术填空题(附录).pdfVIP

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1、电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电

子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。当器件的工作频率较

高时，开关损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为载波比，当它为常数时的调制方

式称为同步调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信

号频率之比为恒定的调制方式称为分段同步调制。

4、面积等效原理指的是，冲量相等而面积不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基

本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是电力MOSFET，单管输出功率最大的

是GTO，应用最为广泛的是IGBT。

6、设三相电源的相电压为U，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大

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反向电压为电源线电压的峰值，即ᵽᵇ，其承受的最大正向电压为ᵽᵇ。

ᵽᵽ

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为有源逆变，如果接到负载，则称为无源逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用

V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为__V1；

(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为V2_；

(5)t4~t5时间段内，电流的通路为__VD1；

1、GTR存在二次击穿现象，IGBT存在擎住现象。

2、功率因数由基波电流移相和电流波形畸变这两个因素共同决定的。

3、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压_措施。

4、同一晶闸管，维持电流I与擎柱电流I在数值大小上有I_=（2～4）I。

HLLH

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5、电力变换通常可分为：AC变DC（整流）、DC变AC（逆变）、AC变AC和DC变

DC（斩波）。

6、在下图中，__V1_和_VD1构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；__V2_

和__VD2_构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生

制动运行，工作于第2象限。

1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：

电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极

型晶体管IGBT；其中IGBT是电力MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿陡幅值要高和触

发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。

5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为180°导

电型

6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增