高散热效率的大功率半导体发光二极管封装基座及生产工艺 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1728411A

(43)申请公布日2006.02.01

(21)申请号CN200510040764.4

(22)申请日2005.06.24

(71)申请人南京汉德森半导体照明有限公司

地址211000江苏省南京市江宁区江宁科学园汉德森科技园

(72)发明人彭晖张涛梁秉文

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H01L33/00

H01L23/34

H01L23/12

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

高散热效率的大功率半导体发光二

极管封装基座及生产工艺

(57)摘要

本发明展示几种新型的具有高散热

效率的热沉的大功率半导体发光二极管封

装基座及其生产的工艺。主要特征如下：

在保持封装基座的外形尺寸不变和易于批

量生产的情况下，扩大热沉底部的接触面

积。主要工艺步骤如下：制造金属支架模

片，注塑金属支架模片形成封装基座模片

(不包括热沉)，在每一个封装基座的背面

点胶，把热沉放置在每一个封装基座中，

固化胶。本发明揭示的新型的具有高散热

效率的热沉的大功率半导体发光二极管封

装基座(包括热沉)，也可以应用于其他半

导体芯片或器件的封装基座。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

一种新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座1.,包括

基座;

两个电极,其中,所述的两个电极被封在基座中,所述的两个电极互相电绝缘;

热沉;其中,所述的热沉的底部的外形尺寸等于或大于基座的外形尺寸。

权利要求2.1的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装

基座,其中,所述的热沉的层叠LED芯片的上表面具有反射杯。

权利要求3.2的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装

基座,其中,所述的反射杯是线性反射杯。

权利要求4.2的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装

基座,其中,所述的反射杯是非线性反射杯。

权利要求5.1的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装

基座,其中,所述的热沉的上表面是平面。

权利要求6.1的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装

基座,其中,所述的基座的外形是圆形。

权利要求7.1的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装

基座,其中,所述的基座的外形是方形。

一种生产新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座8.

的工艺,包括下述工艺流程:(1)制备金属支架模片,金属支架模片的材料包括,但不限

于,铜,铁,铜合金(包括,但不限于黄铜,磷铜),铁合金,金属支架模片的厚度为0.1到0.5

毫米;(2)利用注塑成型工艺,在金属支架模片的相应部位注塑,制成封装基座模片;(3)

在封装基座模片上的每一个封装基座的相应部位点胶,点胶方法包括,手工,半自动,全

自动;(4)在封装基座模片上的每一个封装基座的相应部位放置热沉,并压紧,使得胶与

热沉和封装基座充分接触;(5)在指定的条件下,固化胶,使得胶把热沉和封装基座粘接。

说明书

p技术领域

本发明揭示新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座及其

生产的技术和工艺,属于半导体电子技术领域。

背景技术

大功率半导体发光二极管具有取代白炽灯的