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周蔺桐等：硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅生长研究

硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅生长研究

周蔺桐，章爱生，刘小平，周浪*

(南昌大学材料学院/太阳能光伏学院,江西南昌330031)

摘要：工业生产的太阳能电池用多晶硅锭内部常出现碳化硅夹杂，影响太阳能电池

的转换效率，特别是严重威胁硅片的切割生产过程。本文研究了硅熔体中碳化硅熔

解与硅晶体中碳化硅沉淀生长特性，在熔解实验中发现：碳化硅全部熔解在1450℃

的硅熔体中，同时发现体系中有新的碳化硅颗粒析出。在1350℃下进行硅料中碳化

硅沉淀的固相生长实验，其结果表明：晶体硅中碳化硅沉淀的高温固态生长特性不

明显，没有碳化硅大颗粒出现。

关键词：硅熔体；晶体硅；碳化硅；热力学平衡

中图分类号：TM914.4文献标识码：A

AStudyofdissolvingofSiCprecipitatesinsiliconmeltand

growthofSiCinsiliconcrystal

Abstract:

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