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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN103311386A
(43)申请公布日2013.09.18
(21)申请号CN201310206973.6
(22)申请日2013.05.29
(71)申请人哈尔滨工业大学深圳研究生院
地址518000广东省深圳市南山区西丽镇深圳大学城哈工大校区
(72)发明人张化宇汪桂根崔林韩杰才
(74)专利代理机构深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人刘显扬
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种图形化蓝宝石衬底的制备方法
(57)摘要
本发明提供一种图形化蓝宝石衬底
的制备方法,包括如下几个步骤:步骤A:
在蓝宝石基片的一个面上磁控溅射金属铝
膜;步骤B:在金属铝膜上施涂光刻胶膜,
烘干;步骤C:进行激光干涉曝光、显影,获
得光刻胶图形;步骤D:以金属铝膜上图形
化光刻胶为掩膜,采用反应离子刻蚀金属
铝膜和去胶,在蓝宝石基片上获得金属铝
膜凸台的图形化金属铝膜;步骤E:进行低
温热处理,使图形化金属铝膜充分氧化成
为图形化多晶Al
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,包括如下几个步骤:
步骤A:在蓝宝石基片的一个面上磁控溅射金属铝膜;
步骤B:在金属铝膜上施涂光刻胶膜,烘干;
步骤C:进行激光干涉曝光、显影,获得光刻胶图形;
步骤D:以金属铝膜上图形化光刻胶为掩膜,采用反应离子刻蚀金属铝膜和去胶,
在蓝宝石基片上获得金属铝膜凸台的图形化金属铝膜;
步骤E:进行低温热处理,使图形化金属铝膜充分氧化成为图形化多晶
Alsub2/subOsub3/sub膜;
步骤F:将得到的图形化多晶Alsub2/subOsub3/sub膜进行高温热处理,使
图形化多晶Alsub2/subOsub3/sub膜完全转化为图形化单晶
Alsub2/subOsub3/sub膜,即得到图形化蓝宝石衬底。
2.如权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述金属铝膜的
厚度为150nm~200nm。
3.如权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤B中
的光刻技术选用激光干涉光刻。
4.如权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤B中
光刻胶采用AZ1500光刻胶。
5.如权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤B中
光刻胶膜的厚度为150nm~250nm。
6.如权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤E中
低温热处理的温度为400℃~600℃。
7.如权利要求1至4任一项所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述
步骤F中高温热处理的温度为950℃~1250℃。
说明书
p技术领域
本发明涉及一种图形化蓝宝石衬底的制备方法,尤其是涉及一种低成
本、大面积的用于氮化物处延生长的图形化蓝宝石衬底的制备方法。
背景技术
近年来高亮大功率氮化物发光二极管(LED)深受重视,其广泛应用于
交通信号灯、LCD背光源、固态照明、全彩显示屏等。这些商业产品要求
LED在亮度和发光效率方面具有优良的性能。蓝宝石具有化学和物理性质
稳定、透光性好、成本合适等优点,因此广泛被用于氮化物外延衬底。但
由于氮化物外延薄膜与底部的蓝宝石衬底存在巨大差异的晶格常数失配和
热膨胀系数失配,所以利用氢化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气
相淀积(MOCVD)、分之束外延(MBE
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