半导体器件物理（第2版）.pptVIP

半导体物理基础(10学时）

FundamentalofSemiconductorPhysics

（内容要点简述）

1.1半导体晶体结构和缺陷

1.2半导体的能带与杂质能级

1.2.3Si、Ge的能带结构及本征半导体

1.2.4杂质半导体

1.3半导体中的平衡与非平衡载流子

1.3.1导带电子浓度与价带空穴浓度

1.3.2本征载流子浓度与本征费米能级

1.3.3杂质半导体的载流子浓度

1.3.4简并半导体及其载流子浓度

1.3.5非平衡载流子的产生与复合及准费米能级

1.3.6非平衡载流子的寿命与复合理论

1.4半导体中载流子的输运现象

1.4.1载流子的漂移运动与迁移率

1.4.2半导体中的主要散射机构及迁移率与平均自由时间的关系

1.4.3半导体的迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系

1.5半导体表面

1.5.1半导体表面和表面能级

1.5.2Si-SiO2系统中的表面态与表面处理

1.5.3表面能带弯曲与反型

1.5.4表面复合

第一讲（3学时）

教学目标：掌握金刚石的基本结构、了解晶体结

构晶面、晶向的定义，熟悉缺陷对晶体电学性能

的影响、掌握施主、受主产生机制；

教学重点：缺陷的产生及对晶体电学影响机制；

教学难点：施主、受主形成的机制；

教学方法：讲授法。

1.1半导体的晶体结构和缺陷

1.1.1半导体的晶体结构

晶体：组成粒子在空间排列具有周期性，表现为既长程

有序，又有平移对称性；

非晶体：组成粒子在空间排列没有一定的规则，原则上

属于无序结构，临近的原子相互作用使数原子间距范围

在某些方面表现出一定的特征；

准晶体：组成粒子的排列也呈有序，只是不具有周期性

和平移对称性。

立方晶系主要包括简单立方（sc）、体心立方

晶格（bcc）和面心立方晶格（fcc）。

1.1半导体的晶体结构和缺陷

1.1.2晶体的晶向与晶面

通过布拉菲格子的任意三个不共线的格点可

以做一个平面，该平面包含无数多个周期性分布

的格点，称之为晶面。整个布拉菲格子可以看成

是由无数个相互平行且等距离分布的全同晶面构

成的，这些晶面的总体称为晶面族。所有格点都

处于该晶面族上。同一布拉菲格子中可以存在位

向不同的晶面族。

图1-43（副）不同的晶面族

图1-43晶面指数和面间距

晶向指数的求解

晶向指数实质上是晶向在三个坐标轴上投影的互质整

数，它代表了一族晶列的取向。在晶格中任取一格点

为原点O，以轴矢a、b、c为单位矢建立坐标系

x、y、z；在通过原点的晶列上，求出沿晶向方向上

任一格点的位置矢量h′a+k′b+l′c，将系数(h′,k′,l′)化

为互质整数(h,k,l)，即h′∶k′∶l′

=h∶k∶l，则该晶列族的方向就可以h、k、l表示，记

为［hkl］。

•晶刚石结构

晶刚石结构是一种典型的共价键晶体，是由

两个面心子晶格彼此沿立方体空间对角线位移1/4

的长度套构而成。

图1-22晶刚石晶体结构

1.1半导体的晶体结构和缺陷

1.1.3半导体中的缺陷

点缺陷

1.1半导体的晶体结构和缺陷

1.1.3半导体中的缺陷

刃型位错

1.1半导体的晶体结构和缺陷

1.1.3半导体中的缺陷

螺型位错

1.2半导体的能带与杂质能级

1.2.3本征半导体(Intrinsicsemiconductor)

本征半导体：完全纯净的无杂质的且具有晶体结构的半导体。

“本征”——本身特征，即本色(Intrinsic)也！

GermaniunSilicon

制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到

99.9999999%，常称为“九个9”。

它在物理结构上呈单晶体形态。

将硅或锗材料提纯便形成单晶体，

它的原子结构为共价键结构。

Si

共价键

共价键束缚电子

Si