复旦大学mems经典案例.pptxVIP

复旦大学

MEMS报告;

一、研究机构

二、研究方向

三、仪器设备

四、研究成果及发表文献

;一、复旦大学MEMS相关研究机构;邯郸校区微电子楼;张江校区微电子楼;复旦大学作为我国微电子学科的创立者之一，又地处我国集成电路产业最聚集的地区上海，具有建设好微电子学院的独特优势。复旦大学微电子学院围绕国家重大需求，在高端人才培养、科学研究和成果转化上，以创新的模式实现“政产学研用〞的无缝联接，将为支撑我国半导体芯片产业跨越式开展做出更多奉献。

;〔2〕微纳电子器件与工艺实验室

;二、复旦大学MEMS相关研究方向;〔1〕系统芯片设计及应用;〔2〕芯片设计方法学与设计自动化;〔3〕集成电路器件与工艺;2、微纳电子器件与工艺实验室

;2、微纳电子器件与工艺实验室

;三、复旦大学MEMS相关仪器设备;原理：;;2、SEM改装型电子束直写仪;主要功能：;;3、等离子体增强化学气相沉积〔OxfordPlasmalabSystem100PECVD〕;原理：;;4、薄膜溅射系统ULVAC;5、原位薄膜淀积和分析系统;6、物理气相沉积PVD;7、感应耦合刻蚀机;;四、研究成果及发表文献;半浮栅晶体管〔SFGT〕：结构巧性能高

金属-氧化物-半导体场效应晶体管〔MOSFET〕是目前集成电路中最根本的器件，工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，而其功率密度也一直在升高。我们常用的U盘等闪存芯片那么采用了另一种称为浮栅晶体管的器件。闪存又称“非挥发性存储器〞。所谓“非挥发〞，就是在芯片没有供电的情况下，信息仍被保存不会丧失。这种器件在写入和擦除时都需要有电流通过一层接近5纳米厚的氧化硅介质，因此需要较高的操作电压〔接近20伏〕和较长的时间〔微;〔SFGT〕的“数据〞擦写更加容易、迅速。“TFET为浮栅充放电、完成‘数据擦写’的操作，‘半浮栅’那么实现“数据存放和读出〞的功能。〞张卫解释说，传统浮栅晶体管是将电子隧穿过高势垒〔禁带宽度接近8.9eV〕的二氧化硅绝缘介质，而半浮栅晶体管〔SFGT〕的隧穿发生在禁带宽度仅1.1eV的硅材料内，隧穿势垒大为降低。打个比方，原来在浮栅晶体管中，电子需要穿过的是一堵“钢筋水泥墙〞，而???半浮栅晶体管中只需要穿过“木板墙〞，“穿墙〞的难度和所;需的电压得以大幅降低，而速度那么明显提升。这种结构设计可以让半浮栅晶体管的数据擦写更加容易、迅速，整个过程都可以在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。;2、极大规模集成电路制造装备及成套工艺课题研究;极大地改善了存储窗口和电荷保持能力，如图2所示。完成了场效应晶体管结构和薄膜晶体管结构2种存储器原型器件的加工，实现了器件的存储功能。

图1Pt、Pd和Ru纳米晶照片

;;;4、自主可控的FPGA器件与配套软件系统的研究