电工电子基础-1733413471361.pptx

电工电子基础

6.2三极管

晶体管（三极管）是最重要的一种半导体器件。

部分三极管的外型

一、结构

二氧化硅

BE保护膜E

铟球

P

型硅

NN型锗

P型硅B

N型硅P

铟球

C

C

（a）平面型（b）合金型

三层半导体材料构成NPN型、PNP型

collector

集电极C

—集电区

N集电结各区主要作用及结构特点：

基极BP—基区发射区：作用：发射载流子

发射结

N

base—发射区特点：掺杂浓度高

发射极E基区：作用：传输载流子

emitter

特点：薄、掺杂浓度低

C

集电区：作用：接收载流子

B

型特点：面积大

NPNE

常见三极管的类型

二、类型C

按材料分：P

硅管、锗管

BN

按结构分：

P

NPN、PNP

按使用频率分：E

低频管、高频管

C

按功率分：

小功率管500mWB

中功率管0.51WPNP型E

大功率管1W

一、晶体管放大的条件

发射区掺杂浓度高IC

1.内部条件ImA

基区薄且掺杂浓度低BC

集电结面积大AB3DG6

发射结正偏E

外部条件EC

2.RB

集电结反偏mAIE

二、晶体管的电流分

配和放大作用EB

实验电路

1.测量结果

IB/mA00.010.020.030.040.05

IC/mA0.0010.501.001.602.202.90

IE/mA0.0010.511.021.632.242.95

IC/IB5050535558

IC/IB50606070

IC

(1)IEICIB符合K