利用CASTEP模拟计算实例.pdfVIP

利用CASTEP模拟计算实例

CASTEP计算原理XBAPRS利用CASTEP模拟计算实例

一，计算本征半导体硅的能带结构和状态密度等性质

计算过程分为三个步骤:首先是建立硅的晶体结构计算模型，这个可以在MS物

质结构数据库中调用即可。在计算时为了节省时间，减少计算量将硅的普通的晶体

转化为原胞结构，一个原胞中包含9个原子。节下来是对晶体原胞结构进行几何结

构优化，当然其中也含盖了对体系总能量的最小化。结构优化过程中的两个图表文

档分别表示了优化步骤中体系能量的变化和收敛精度，判断收敛是否成功就要查看

最终完成计算后，能量的收敛精度是否达到了事前的设定值。最后是计算性质，在

计算状态密度时可以计算不同原子各个轨道按照角动量分布的偏态密度(PDOS)，当

体系是自旋极化时，偏态密度(PDOS)中包含了体系多数自旋(majorityspin)和少

数自旋(minorityspin)的偏态密度(PDOS)。光学性质的计算是模拟中的一个难

点，从目前发表的文献来看，影响光学性质计算的因素很多(见光学计算原理部

分，对此有详细描述)，在研究体系有充足实验数据的条件下，可以对能带采用

“剪刀”的工具对能带带隙进行刚性的调整，获得与实验结果符合较好的结论。但

对于初学者而言，这个工具一般是不推荐使用的。作者对于硅的计算完全按照上述

方案完成。详细的计算结果和计算方法见本文所附带的专门文章。二，搀杂半导

体InP性质计算

第三主族和第五主族元素之间形成的半导体，目前越来越受到的重视，在纳米

材料中，各种纳米电子器件如场效应晶体管，半导体纳米量子阱，纳米量子点激光

器等均广泛采用了诸如AlASInP等材料，本文对InP能带结构、状态密度以及光

学性质进行了计算。计算步骤与前文描述相同。详细结果见文章二。

三，FeS性质计算2

二硫化亚铁是一种受到广泛研究的窄带隙的半导体，其能带带隙为0.95eV。肖

奇等人也采用CASTEP对二硫化亚铁整体状态密度和(100)晶面双层超结构状态密度

的计算结果进行了对比，发现了表面态对状态密度峰的分裂。作者也首先建立了二

硫化亚铁的晶体结构，对优化后的结构也进行了计算，得到能带带隙的较准确结

果，但在能带的顶层出现了文献中未出现的新结构，因此还需要其他文献进行证

实。作者也建立了双层的二硫化亚铁(100)晶面的超晶胞结构，但限于计算能力，

只对结构进行了分子力场的初步结构优化。详细结果见文章三。

四，三氧化二铝性质计算

三氧化二铝是广泛用于复合材料中的一种附加材料，在电子工业中用于衬底材

料。作为陶瓷原料更是普遍。三氧化二铝有多种晶体类型，目前广泛得到研究的是

α-三氧化二铝，作者计算了它的能带结构和状态密度分布以及电子密度分布情

况，计算结果与实验结果相比较是可靠的，电子密度分布揭示了化学键的性质。详

细结果见文章四。

五，其他几种半导体材料能带结构的计算

1

CASTEP计算原理XBAPRS作者也计算了几种目前普遍使用的半导体材

料的能带结构，晶体结构在计算前是经过了结构优化的，某些计算的能带带隙并不

理想，与实验数值相比较，差距较大。但发现了能带结构和计算晶体结构特别是化

学键类型间的关系是密切的。通过对于几种类型的半导体能带结构和状态密度的计

算表明他们与原子轨道杂化类型，原子间成键类型等均有关系，计算几种半导体分

别是:本征半导体Si,离子型窄带隙半导

32体ZnOandCuO，搀杂n型半导体BN。从杂化轨道类型来看，硅为sp杂

化，BN为sp杂化。其余两种2

是离子型晶体，化学键主要成分是离子键。从能带结构分析，离子型半导体费

米能级以下的部分能带形状平滑，而共价键杂化类型的半导体在费米能级以下部分

为抛物线型。在费米能级以上的部分两者差别不大，均为抛物线型。状态密

度(DOS)图来看，ZnOandCuO型半导体各个分波区分是很明显的，杂化型半

导体状态密度各个分波2

区分并不明显，一般为连续型，原子轨道混合在这些半导体中是很明显的。

六，MnN和MnAs自旋状态密度分布与晶体结构常数间的关系

R.dePaiva1,J.L.A.Alves等人文献中，研究了闪锌矿结构的MnN和

MnAs自旋密度分布随晶体结构常数变化的关系，上述两种物质的