专题六 工艺流程分析（讲义）-2025版高考化学二轮复习讲练测合集.docx

专题六工艺流程分析（讲义）——高考化学二轮复习讲练测合集

核心素养

科学精神与社会责任

考情预测

化学工艺流程题是将化工生产中的生产流程用框图形式表示出来，并根据生产流程中有关的化学知识步步设问，是无机框图的创新。它以现代工业生产为基础，与化工生产成本、产品提纯、环境保护等相融合，考查物质的制备、检验、分离或提纯等基本实验原理在化工生产中的实际应用，具有较强的实用性和综合性，是近几年高考化学试题的常考题型。

预测2025年高考仍会采用工艺流程图的形式，以元素化合物知识为载体，围绕原料的预处理考查影响速率的因素;围绕经济原则考查循环利用。围绕产品纯度考查物质的分离提纯(调pH、结晶、过滤、洗涤);围绕核心反应或副反应考查物质变化及定量关系;陌生方程式的书写与含量计算是化工流程题的重要组成部分，也是学生失分较多的能力点，复习时应加以重视!

解题方法

1、首尾分析法

对线型流程工艺试题，首先对比分析流程图中的第一种物质与最后一种物质，找出它们的关系，弄清原料转化的基本原理和分离，提纯的化工工艺，然后结合问题，逐一解答。

2、分段分析法

对于用同样的原料生产多种产品的工艺流程题，用分段分析法更容易找到解

题的切入点。

3、交叉分析法

有些化工生产流程选用多组原材料，先合成一种或几种中间产品，再用中间

产品与部分其他原材料生产所需的主流产品。这种题适合用此法。

一、无机工艺流程题的结构

示例：NaClO2是一种重要的杀菌消毒剂，也常用来漂白织物等，其一种生产工

艺如下：

这类题常围绕以下几个知识点进行设问：

（1）反应速率与平衡理论的运用

反应物颗粒大小：反应速率、原料的利用率等

温度：反应速率、物质的稳定性、物质的结晶等

（2）氧化还原反应规律的应用、化学方程式或离子方程式的书写；

（3）利用控制pH分离除杂；

（4）化学反应的能量变化；

（5）实验基本操作：制备、除杂、分离、提纯、检验、洗涤、干燥等；

（6）流程中的物质转化和循环，资源的回收和利用；

（7）环境保护与绿色化学评价。

二、常用的化工术语

1、研磨、雾化——将块状或颗粒状的物质磨成粉末或将液体雾化，增大反应物接触面积，以加快反应速率或使反应更充分。

2、灼烧（煅烧）——使固体在高温下分解、氧化或改变结构和组成；使一些物质能溶解；使一些杂质在高温下氧化、分解。

3、酸浸——通常用酸溶，如用硫酸、盐酸、浓硫酸等，使可溶性金属离子进入溶液，不溶物通过过滤操作除去。

4、蒸发浓缩——蒸发除去部分溶剂，提高溶液的浓度。

5、蒸发结晶——蒸发溶剂，使溶液由不饱和变为饱和，继续蒸发，过剩的溶质就会以晶体形式析出水洗——用水（冷水、冰水、热水）洗去可溶性杂质，类似的还有酸洗、醇洗等。

三、常考的操作

1、表面处理：用水洗除去表面可溶性杂质，金属晶体可用机械法(打磨)加快反应速率，使反应更充分或化学法除去表面氧化物、提高光洁度等。

2、加氧化剂：氧化某物质，生成目标产物或除去某些离子。

3、在空气中或在其它气体中进行的反应或操作：要考虑氧气、二氧化碳或其它气体是否参与反应或能否达到隔绝空气、防氧化、防水解、防潮解等目的。

4、分离、提纯

①蒸发(反应时的气体氛围抑制水解)：如从溶液中析出FeCl3、AlCl3、

MgCl2等溶质时，应在HCl的气流中加热，以防止其水解。

蒸发浓缩、冷却结晶：如除去KNO3中的少量NaCl。

蒸发结晶、趁热过滤：如除去NaCl中的少量KNO3。

②溶解法：利用特殊溶剂把杂质溶解而除去，如Fe（Al）可用过量的NaOH溶液而除去Al，CO2（HCl、H2O）先通过饱和食盐水，再通过浓H2SO4。

③沉淀法：a.加合适的沉淀剂（要使杂质离子充分沉淀，加入的沉淀剂必须

过量，且在后续步骤中容易除去）；

b.调节溶液的pH值。

5、控制溶液的pH

①调节溶液的酸碱性，使金属离子（Fe2+、Fe3+、Cu2+、Al3+、Mg2+等）形成氢氧化物沉淀析出（或抑制水解）。

②“酸作用”还可除去氧化物（膜）。

③“碱作用”还可除去油污，除去铝片氧化膜，溶解铝、溶解二氧化硅等。

④特定的氧化还原反应需要的酸性条件（或碱性条件）。

6、控制温度（常用水浴、冰浴或油浴）

（1）防止副反应的发生

（2）使化学平衡移动；控制化学反应的方向

（3）控制固体的溶解与结晶

（4）控制反应速率；使催化剂达到最大活性

（5）升温：促进溶液中的气体逸出，使某物质达到沸点挥发

（6）加热煮沸：促进水解，胶体聚沉后利于过滤分离

（7）趁热过滤：减少因降温而析出的溶质的量

（8）降温：防止物质高温分解或挥发；降温（或减压）可以减少能源成本，降低对设备的要求

7、洗涤晶体

①水洗：通常是为了除去晶体表面水溶性