2020年4月全国自考电子技术基础试题及答案解析 .pdfVIP

（

电子技术基础一试题

2018年4月自考）

课程代码：02234

一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的

括号内。错选、多选或未选均无分。

1.N型半导体中少数载流子是（）

A.正离子B.负离子

C.空穴D•自由电子

2.理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U为（）

o

A.-16V

B.-8V

--8VI山16V__

C.+8V_IF

题2图

D.+16V

3.半导体三极管处在饱和状态时是（）

A.e结反偏c结反偏B.—e结正偏c结正偏

C.e结反偏c结正偏D.e结正偏c结反偏

4.测得某电路中的半导体三极管（锗管）各管脚电位如题4图所示，则该管处在（

A.放大状态

B.饱和状态

C.截止状态

D.不能确定的状态

5.下述基本放大电路进行比较，输入电阻最低输出电阻高的是（）

A.共射极放大电路B.共基极放大电路

C.共集电极放大电路D.共源极放大电路

6.场效应管与半导体三极管进行比较，场效应管是（）

A.输入电阻低，无输入电流B.电流控制器件

C.输入电阻高，热稳定性能好D.输入电阻低，输出电阻低

7.为使放大电路

的输入电阻低，在放大电路中应引入的反馈是交流（）

A.电压负反馈B.电流负反馈

C.并联负反馈D.串联负反馈

8.

AB

CD

A.F=AB

B.F=AB

9u=12mvU=6mv

iii2

A18mvB9mv

C9mvD18mv

10

A