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中南大学实验报告
课程名称：单片机原理与技术
姓名：
学号：
院系：信息科学与工程学院
专业：
时间：6月10号
实验一：单片机IO口应用实验（P3.3输入P1输出）
一、实验目的：
1、掌握单片机P3口、P1口简单使用。
2、学习延时程序的编写和使用。
二、实验原理和内容：
（1）实验原理：
1、P1口是准双向口，它作为输出口时与一般的双向口使用方法相同，
由准双向口结构可知：当P1口作为输入口时，必须先对它置高电平，
使内部MOS管截止，因内部上拉电阻是20KΩ—40KΩ，故不会对
外部输入产生影响。若不先对它置高，且原来是低电平，则MOS管
导通，读入的数据不正确。
2、延时子程序的延时计算。
对于延时的程序
DELAY：MOVR6，#00H
DELAY1：MOVR7，#80H
DJNZR7，$
DJNZR6，DELAY1
查指令表可知MOV、DJNZ指令均需用两个机器周期，而一个机器
周期时间长度为12/6.0MHZ，所以该段指令执行时间为：
（((128+1)×256)+1)×2×(12÷6000000)=132.1ms。
实验原理图如下：
（2）实验内容：
1、P3.3口做输入口，外接一脉冲，每输入一个脉冲，P1口按十六进
制加一输出。
2、P1口做输出口，编写程序，使P1口接的8个发光二极管L0—L7
按16进制加一的方式点亮发光二极管。
三、实验步骤：
1、P3.3用插针连至K1，JU2（P1.0～P1.7）用8芯线连至JL（L0～
L7）。
2、调试、运行程序test1中的MCUIO.ASM。
3、开关K1每拨动一次，L0～L7发光二极管按16进制方式加一点
亮。
四、实验数据和结果：
由实验的当开关K1每拨动一次，L0～L7发光二极管按16进制方式
加一点亮。
五、实验总结：
P1口是准双向口，它作为输出口时与一般的双向口使用方法相同，
由准双向口结构可知：当P1口作为输入口时，必须先对它置高电平，
使内部MOS管截止，因内部上拉电阻是20KΩ—40KΩ，故不会对
外部输入产生影响。若不先对它置高，且原来是低电平，则MOS管
导通，读入的数据不正确。在做实验时调试、运行程序test1中的
MCUIO.ASM是关键，要学会熟练掌握调试运行程序的过程。
实验二：简单IO口扩展实验
一、实验目的：
学习在单片机系统中扩展简单I/O口的基本方法。
二、实验原理和内容：
（1）实验原理：
实验原理图如下：
VCC
R273
4.7K
UA31
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