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模拟电子技术基础;;参考书：;11半导体的基本知识
12PN结
13半导体二极管
;11半导体的基本知识;111本征半导体及其导电性;(1）本征半导体的共价键结构;（2）电子空穴对;可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图0102所示。;(3)空穴的移动;112杂质半导体;(1）N型半导体;(2)P型半导体;113杂质对半导体导电性的影响;杂质半导体简化模型;12PN结;121PN结的形成;最后多子扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为
PN结,在空间
电荷区，由于缺
少多子，所以也
称耗尽层。;122PN结的单向导电性;(1)PN结加正向电压时的导电情况;(2)PN结加反向电压时的导电情况;PN结外加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;1在杂质半导体中多子的数量与
（a掺杂浓度b温度）有关。;123PN结的电容效应;(1)势垒电容CB;扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。;图01.10扩散电容示意图;谢谢观看
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