《模拟集成电路原理》期末复习试题2套含答案.docx

学院姓名学号任课老师选课号

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

第PAGE19页共NUMPAGES19页

电子科技大学第二学期期终考试

模拟集成电路原理课程考试题A卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期2024年月日

课程成绩构成：平时10分，期中0分，实验10分，期末80分

一

二

三

四

五

六

七

八

九

十

合计

选择题（共20题，每题2分，共40分）

对于MOS管,当W/L保持不变时,MOS管的跨导随漏电流的变化是(B)

A.单调增加B.单调减小C.开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.

2.对与MOS器件,器件如果进入饱和区,跨导相比线性区将(A)

Ａ增加B.减少C不变D可能增加也可能减小

3.在W/L相同时,采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管,它的栅电阻(C)

A增大B不变C减小D可能增大也可能减小

关于衬底PNP,下列说法不正确的是(B)

A衬底PNP一般耐压较高.

B衬底PNP一般共射电压增益较高.

C衬底PNP一般容易实现大电流

D衬底PNP不能采用n+埋层.

对于扩散电阻,杂质的横向扩散,会导致电阻值(C)

A变小,B不变,C变大,D可大可小.

室温下,扩散电阻阻值的温度系数为(A)

A正,B零,C负,可正可负

对采用N+作下极板的MOS电容,采用以下哪种方法可以提高MOS电容值与寄生电容值之比.(C)

A,增加MOS电容面积,

B.减小MOS电容面积.

C增加衬底的反向偏压.

D减小衬底的反向偏压.

在版图设计中,电学规则检查称为（B）

A.EXTRACTB.ERCC.DRCD.LVS

随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（D）

A不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低

对CMOSPTAT源，器件是工作在（D）

A．饱和区和线性区B.都是饱和区C.线性区和亚阈区D.饱和区和亚阈区

下图示出的剖面图(C)

A．A是纵向pnp,B是纵向pnp

B．A是横向pnp,B是纵向pnp

C．A是纵向pnp,B是横向pnp

D．A是横向pnp,B是横向pnp

对于电流镜的要求,那种说法正确(C)

A.输出阻抗高B输出阻抗低C交流输出阻抗高D直流输出阻抗高

Cascode电流镜的最小输出电压VMIN(out)的值为(C)

A．VON+VTNB.2(VON+VTN)C.2VON+VTND.VON+2VTN

差分放大器差模电压增益为(B)

A．-gmRcB.gmRcC.-2gmRcD.2gmRc

在下列防止CMOSIC中闩锁效应的办法中，（C）不可采用。

让NMOS和PMOS在许可的范围尽可能远离；

降低寄生NPN、PNP的β；

增加RS、RW；

采用深槽隔离。

MOS共栅放大器的特点是(D)

A．放大器输入输出反相,输入阻抗高

B．放大器输入输出同相,输入阻抗高

C．放大器输入输出反相,输入阻抗低

D．放大器输入输出同相,输入阻抗低

在CMOS差分输入级中,下面的做法哪个对减小输入失调电压有利(A)

减小有源负载管的宽长比.

提高静态工作电流.

减小差分对管的沟道长度和宽度

提高器件的开启(阈值)电压

在E/DNMOS输出级中,常加入”零管”以降低功耗,此”零管”将被设计为(A)

A．宽长比较大,阈值电压为0V

B．宽长比较小,阈值电压为0V

C．宽长比较大,阈值电压大于0V

D．宽长比较小,阈值电压大于0V

CMOS推挽放大器NMOS管和PMOS管分别工作于(C).

A.NMOS管工作于截止区和线性区;PMOS管工作于截止区和线性区

B.NMOS管工作于饱和区和线性区;PMOS管工作于饱和区和线性区

C.NMOS管工作于饱和区和截止区PMOS