安世PSMN1R5-50YLH深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMN1R5-50YLH

N-channel50V,1.7Oh,200Acontinuous,logiclevel

ApplicationSpecificMOSFETinLFPAK56E

26January2022Productdatasheet

1.Generaldescription

200Ampcontinuouscurrent,logiclevelgatedrive,N-channelenhancementmodeMOSFET

inLFAK56Epackage.artoftheASFETsforBatteryIsolationandDCMotorcontrolfamily

andusingNexperia’sunique“Schottkylus”technologydelivershighefficiencyandlowspiking

performanceusuallyassociatedwithMOSFETswithanintegratedSchottkyorSchottky-likediode

butwithoutproblematichighleakagecurrent.TheASFETisparticularlysuitedto36Vbattery

poweredapplicationsrequiringstrongavalanchecapability,linearmodeperformance,useathigh

switchingfrequencies,andalsosafeandreliableswitchingathighload-current.

2.Featuresandbenefits

•200Acontinuouscurrentcapability

•Optimisedfor36V(nominal)batterypoweredapplications

•LFAK56Elow-stressexposedlead-frameforultimatereliability,optimumsolderingandeasy

solder-jointinspection

•Copper-clipandsolderdieattachforlowpackageinductanceandresistance,andhighID(max)

rating

•Qualifiedto175°C

•Avalancherated,100%tested

•LowQG,QGDandQOSSforhighefficiency,especiallyathigherswitchingfrequencies

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