安世PSMN4R1-60YL深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

1、本文档共12页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

PSMN4R1-60YL

N-channel60V,4.1mΩlogiclevelMOSFETinLFPAK56

20October2016Productdatasheet

1.Generaldescription

LogiclevelN-channelMOSFETinanLFPAK56(PowerSO8)packageusingTrenchMOS

technology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofpower

supplymotorcontrolequipment.

2.Featuresandbenefits

•AdvancedTrenchMOSprovideslowRDSonandlowgatecharge

•Logiclevelgateoperation

•Avalancherated,100%tested

•LFPAKprovidesmaximumpowerdensityinaPowerSO8package

3.Applications

•SynchronousrectifierinLLCtopology

•ChargersadaptorswithVout10V

•FastchargeUSB-PDapplications

•Batterypoweredmotorcontrol

•LEDlightingTVbacklight

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltage25°C≤T≤175°C--60V

DSj

IDdraincurrentVGS=5V;Tmb=25°C;Fig.2[1]--100A

PtottotalpowerdissipationTmb=25°C;Fig.1--238W

Staticcharacteristics

Rdrain-sourceon-stateV=5V;I=25A;T=25°C;Fig.1

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

更多 >