三极管放大实验报告.pdf

（一）、实验目的

1.对晶体三极管进行实物识别，了解它们的命名方法和主要技术指标；

2.学习放大电路动态参数（电压放大倍数等）的测量方法；

3.调节电路相关参数，用示波器观测输出波形，对饱和失真失真的情况进行研究；

4.通过实验进一步熟悉三极管的使用方法及放大电路的研究方法。

（二）、实验原理

一、三极管

1.三极管基本知识

三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电

信号，也用作无触点开关。三极管的分类方式很多，按照材料可分为硅管和锗管；按照

结构可分为NPN和PNP；按照功能可分为开关管、功率管、达林顿管、光敏管等；按

照功率可分为小功率管、中功率管和大功率管；按照工作频率可分为低频管、高频管和

超频管；按照安装方式可分为插件三极管和贴片三极管。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管

是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部

分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，根据排列方式的不同可将三极管分

为PNP和NPN两种。

从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN

结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓

度大。

两种不同类型三极管的表示方式如图1所示，PNP型型三极管三极管发射区发射区发射发射的是空穴，其

移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型型三极管三极管发射区发射区发射发射的是自由电

子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正

向电压下的导通方向。

图1不同类型三极管表示方式

2．三极管放大原理

（1）发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不

断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，

但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为

发射结主要是电子流。

（2）基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用

下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。

也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流

之比例决定了三极管的放大能力。

（3）集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩

散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电

区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来

表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

3．三极管的工作状态

截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极

电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当

于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，

三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，

使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大

到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不

怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和

发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态。

二、三极管场效应管放大电路

由三极管组成的放大电路是在保证输出信号波形与输入波形相同或者基本相同的前提

下，将微弱的电信号增强到需要的强度。放大电路的实质就是用较小的能量去控制较大

的能量，或者说用一个较小的输入信号对直流电源的能量进行控制和转换，使之变换成

为较大的交流电输出，以便驱动负载工作。放大电路的输出可以是电压，也可以是电流，

还可以是功率。因此基本放大电路主要有电压放大电路、电流放大电路、功率放大电路

等。

1.共发射极