《模拟电子电路》第1章 常用半导体器件 1.3 半导体三极管-教学课件（非AI生成）.ppt

2、交流参数（1）共发射极交流电流放大系数??=?IC/?IB在放大区?值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线求取?IC/?IB。在输出特性曲线上求βUCEQUCE/V（2）共基极交流电流放大系数αα=?IC/?IE当ICBO和ICEO很小时，≈?、≈?，可以不加区分。3、极限参数

极限参数是指为了保证晶体管在放大电路中能正常、安全地工作而不能逾越的参数。当集电极电流增加时，?就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于?值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。（1）集电极最大允许电流ICM（2）集电极最大允许耗散功率PCM

集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM=ICUCB≈ICUCE因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用UCE取代UCB。（3）反向击穿电压U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。U(BR)CBO＞U(BR)CEO由PCM、ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。1.3.5温度对晶体特性及参数的影响一、温度对ICBO的影响二、温度对输入特性曲线的影响温度对晶体管输入特性的影响温度T??输入特性曲线左移三、温度对输出特性曲线的影响温度每升高1°C，?要增加0.5%?1.0%温度T??输出特性曲线族间距增大******UCE增大：特性曲线向右移动∴当UCE≥1V,UCB=UCE-UBE0此时集电结已进入反偏状态，开始收集电子，电子在基区的复合减少，对同样的uBE，iB?、iC?∵UCE=UCB+UBE输入特性曲线随着UCE增加，曲线移动不大主要原因：UCE≥1V后，c区已经将来自e区的电子绝大部分吸引走。输入特性曲线输入特性曲线死区电压硅0.5V锗0.1V导通压降硅0.7V锗0.3V2、输出特性曲线输出特性是指当IB一定的情况下，iC与uCE之间的关系曲线。输出特性曲线当uCE=0V时，因集电极无收集作用，iC=0。输出特性曲线uCE较小，集电结没有反偏或反偏电压较小，这时集电区收集电子的能力较弱，只要uCE稍稍增加，c区收集电子的能力将明显上升，因此iC上升较大uCE较小时，iC随uCE增加迅速上升uCB=uCE-uBE输出特性曲线当集电结反偏电压较大时，扩散到基区的电子基本上都可以被集电区收集，此后uCE再增加，电流也不会明显的增加此时，iC和iB电流满足固定的比例关系，iB电流增加，iC电流等比例上升uCE较大时，特性曲线进入与uCE轴基本平行的区域P区和N区掺杂浓度不相同时，耗尽层相对界面不对称，形成不对称PN结空间电荷区主要向低掺杂区延伸＋号表示重掺杂区基区宽度调制效应基区宽度调制效应uCE的变化引起基区实际宽度变化的现象称为基区宽度调制效应，它导致uCE较大时，输出特性曲线略向上倾斜。3、BJT输出特性曲线的三个工作区(1)饱和区饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE的数值较小，一般uCE＜0.7V(硅管)。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。饱和区uCB=uCE-uBE临界状态uCE=uBE饱和区：uCE?uBEuCB=uCE?uBE?0条件：两个结正偏特点：IC??IB（小于）临界饱和时：uCE=uBE深度饱和时：0.3V(硅管)uCES=0.1V(锗管