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多晶硅铸锭中的杂质和缺陷
摘要
铸造多晶硅目前已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的
太阳能电池材料。铸造多晶硅材料中高密度的杂质和结晶学缺陷
(如晶界，位错，微缺陷等)是影响其太阳能电池转换效率的重要
因素。
本文综合了多组关于铸造多晶硅中的原生杂质及缺陷以及
少子寿命的分布特征研究文献得到的主要结论如下：
硅锭底部及顶部区域内高浓度的铁、氧等杂质为影响少子寿
命值的关键因素。
此外，通过择优腐蚀结合光学显微镜以及红外扫描仪研究
硅中的缺陷形态及密度分布。结果显示位错密度大体上呈现从硅
锭底部向硅锭顶部逐渐增加的趋势。
关键词：铸造多晶硅，氧，碳，铁，位错，少子寿命
DefectsandImpuritiesinCast-GrownPolycrystalline
SiliconSubstrates
ABSTRACT
Currently,castmulticrystallinesiliconhasreplaced
monocrystallinesiliconasthemainphotovoltaicmaterials.High
densityofimpurities，suchasoxygen，carbonandiron，anddefects，
suchasdislocationsandgainboundaries，playacrucialroleonthe
degradationofmc-sisolarcellsperformance.
InthisthesisThemainresultsareasfollows：
Thehighconcentrationofimpuritiessuchasironandoxygen，
whichcaninduceelectricallyactiverecombinationcenters，is
believedtoberesponsibleforthe1ifetimereductioninthetwo
sidesoftheingot．
Further，thedefectsinmc—siwereobserved
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