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安世PSMN013-100BS深圳市恒锐丰科技.pdf

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PSMN013-100BS

N-channel100V13.9mΩstandardlevelMOSFETinD2PAK

21February2014Productdatasheet

1.Generaldescription

StandardlevelN-channelMOSFETinD2PAKpackagequalifiedto175C.Thisproduct

isdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsand

domesticequipment.

2.Featuresandbenefits

•Highefficiencyduetolowswitchingandconductionlosses

•Suitableforstandardlevelgatedrive

3.Applications

•DC-to-DCconverters

•Loadswitching

•Motorcontrol

•Serverpowersupplies

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltageT≥25°C;T≤175°C--100V

DSjj

IDdraincurrentTmb=25°C;VGS=10V;Fig.2[1]--68A

PtottotalpowerdissipationTmb=25°C;Fig.1--170W

Tjjunctiontemperature-55-175°C

Staticcharacteristics

Rdrain-sourceon-stateV=10V;I=15A;T=100°C;-19.425mΩ

DSonGSDj

resistanceFig.12;Fig.13

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