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百学须先立志。——朱熹
模拟试卷一
一、填空(16分)
1．半导体二极管的主要特性是___________。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____偏置，集电结为_____偏置；工作在
饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或
者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入
_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ=____、静态时的电源功耗
PDC=______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功
放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作
在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3
V，则这只三极管是()。
A．NPN型硅管B．NPN型锗管C．PNP型硅管D．PNP型锗管
2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为()。
A．P沟道增强型MOS管
B．P沟道结型场效应管
C．N沟道增强型MOS管
D．N沟道耗尽型MOS管
3．在图示2差分放大电路中，若uI=20mV，则电路的()。
A．差模输入电压为10mV，共模输入电压为10mV。
B．差模输入电压为10mV，共模输入电压为20mV。
C．差模输入电压为20mV，共模输入电压为10mV。
D．差模输入电压为20mV，共模输入电压为20mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的()。
A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大
5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应()。
A．减小C，减小RiB．减小C，增大Ri
C．增大C，减小RiD．增大C，增大Ri
6．如图所示复合管，已知V1的b1=30，V2的b2=50，则
百学须先立志。——朱熹
复合后的b约为()。
A．1500B．80C．50D．30
7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和()。
A．基本共射放大电路B．基本共集放大电路
C．反相比例运算电路D．同相比例运算电路
8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是()。
A．积分运算电路B．微分运算电路C．过零比较器D．滞回比较器
三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的b1、rbe1，V2的b2、
rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
1．分别指出V1、V2的电路组态；
2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；
3．计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)
四、图示运算放大电路中，已知u1=10mV，u2=30mV，求uO=？(10分)
五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示，试分
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