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志不强者智不达,言不信者行不果。——墨翟
电工与电子技术-半导体器件电子教案
第一章:半导体基础
1.1半导体的概念与分类
1.2半导体的物理特性
1.3PN结的形成与特性
第二章:二极管
2.1二极管的结构与类型
2.2二极管的伏安特性
2.3二极管的应用
第三章:晶体管
3.1晶体管的结构与类型
3.2晶体管的放大作用
3.3晶体管的应用
第四章:场效应晶体管
4.1场效应晶体管的结构与类型
4.2场效应晶体管的伏安特性
4.3场效应晶体管的应用
第五章:集成电路
5.1集成电路的基本概念
5.2集成电路的分类与特点
5.3集成电路的应用
第六章:晶闸管
志不强者智不达,言不信者行不果。——墨翟
6.1晶闸管的结构与类型
6.2晶闸管的伏安特性
6.3晶闸管的应用
第七章:GTO、GRT与GTO
7.1GTO的结构与类型
7.2GRT的结构与类型
7.3GTO、GRT的应用
第八章:功率集成电路
8.1功率集成电路的基本概念
8.2功率集成电路的分类与特点
8.3功率集成电路的应用
第九章:传感器
9.1传感器的基本概念
9.2传感器的分类与特点
9.3传感器的应用
第十章:半导体器件在工程应用中的问题
10.1半导体器件的可靠性
10.2半导体器件的抗干扰能力
10.3半导体器件的散热问题
重点和难点解析
重点一:半导体的物理特性
解析:半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间,其导电性能受温度、掺杂
志不强者智不达,言不信者行不果。——墨翟
浓度、光照等因素的影响较大。理解半导体的能带结构、载流子运动等基本物理
过程是理解后续半导体器件工作的基础。
重点二:PN结的形成与特性
解析:PN结是半导体器件的基础,其形成过程和伏安特性是理解二极管、晶体
管等器件工作的关键。PN结的形成涉及到扩散、漂移等过程,其伏安特性包括
正向导通和反向截止两个状态。
重点三:二极管的伏安特性
解析:二极管的伏安特性决定了其在电路中的应用,如整流、调制、稳压等。理
解二极管在不同电压和温度条件下的工作状态,对于设计电路至关重要。
重点四:晶体管的放大作用
解析:晶体管是现代电子电路的核心,其放大作用是理解放大电路、振荡电路等
的基础。晶体管的工作原理涉及到基极电流、集电极电流、发射极电流之间的关
系,以及放大倍数等概念。
重点五:场效应晶体管的伏安特性
解析:场效应晶体管与晶体管不同,其控制端为电压控制,而非电流控制。理解
场效应晶体管的栅极电压与源漏电流之间的关系,对于理解其放大和开关特性至
关重要。
重点六:晶闸管的伏安特性
解析:晶闸管是一种可控硅器件,其伏安特性表现为在达到导通条件后,电流可
以持续流
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