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igbt行业研究报告

一、前言

（一）研究背景与目的

随着全球能源需求的不断增长以及节能减排政策的日益严格，功率半导体器件在新能源、电动汽车、工业控制等领域发挥着越来越重要的作用。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为功率半导体器件的核心组成部分，具有高效率、低功耗、快速开关等优势，已成为推动能源革命的关键技术之一。

近年来，我国IGBT行业取得了显著的成果，但与国际先进水平仍存在一定差距。在此背景下，本报告旨在全面分析IGBT行业的发展现状、趋势、机遇与挑战，为我国IGBT行业的发展提供有益的参考。

本研究的背景主要有以下几个方面：

1.全球能源转型推动IGBT市场需求增长。随着全球能源结构的

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