电子技术基础模拟部分课件第二章.pptxVIP

2.1半导体的基本知识

2.2PN结的形成及特性

2.3半导体二极管

2.4二极管基本电路及其分析方法

2.5特殊二极管

;教学内容：

本章首先简单介绍半导体的基本知识，着重讨论半导体器件的核心环节--PN结，并重点讨论半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用；在此基础上对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性于应用也给予了简要的介绍。;教学要求：

本章需要重点掌握二极管模型及其电路分析，特别要注意器件模型的使用范围和条件。对于半导体器件，主要着眼于在电路中的使用，关于器件内部的物理过程只要求有一定的了解。

;2.1.1半导体材料

其导电能力介于导体和绝缘体之间。

常用的半导体材料有：

（1）元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；

（2）化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等。

（3)掺杂或制成其它化合物半导体的材料，如硼（B）、磷（P）、铟（In）、锑（Sb）等

半导体具有某些特殊性质：如压敏、热敏及掺杂特性(导电能力改变);补充：

物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。

物质的导电特性取决于原子结构。导体一般为低价元素,如铜、铁、铝等金属,其最外层电子受原子核的束缚力很小,因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作用下,这些电子产生定向运动(称为漂移运动)形成电流,呈现出较好的导电特性。高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶,塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强,极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子,所以其导电性极差,可作为绝缘材料。而半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚,成为自由电子,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因此,半导体的导电特性介于二者之间。;价电子：最外层原子轨道上具有的电子。半导体材料中的价电子数都为4。;;硅和锗的共价键结构;2.1.3本征半导体，空穴及其导电作用;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶??，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构;形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。

本征激发：室温下，价电子获得足够的随机热振动能量而摆脱共价键的束缚，成为自由电子的现象称为本征激发。;2.本征半导体的导电原理;;（2）本征半导体的导电原理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;2.1.4杂质半导体;第二章半导体二极管及应用电路;2.N型半导体

在本征Si和Ge中掺入微量V族元

素后形成的杂质半导体称为N型半导

体。所掺入V族元素称为施主杂质，

简称施主（能供给自由电子）。;少量掺杂，平衡状态下：ni2=n0·p0

其中，ni为本征浓度，n0为自由电子浓度，p0为空穴浓度。

温度增加，本征激发加剧，但本征激发产生的多子远小于杂质电离产生的多子。在掺入杂质后，载流子的数目都有相当程度的增加。

★半导体工作机理：杂质导电特性。对半导体掺杂是提高半导体导电能力的最有效的方法。

★Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时，Si半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度Si半导体才会失去杂质导电特性。;本征半导体、杂质半导体;2.2PN结的形成及特性;因浓度差

?

多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区;第二章半导体二极管及应用电路;PN结形成过程分解：;2.2.2PN结的单向导电特性

无外接电压的PN结→开路PN结，平衡状态PN结

PN结外加电压时→外电路产生电流

1.正向偏置（简称正偏）PN结

PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负

电位）→正偏→正向电流;PN结加正向电压的情形;第二章半导体二极管及应用电路;;2.反向偏置（简称反偏）

PN结反偏：P区接低电位（负电位），

N区接高电位（正电位）。

＊硅PN结的Is为pA级

＊温度T增大→Is;外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN