安世GANB8R0-040CBA深圳市恒锐丰科技.pdf

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SGANB8R0-040CBA

40V,8.0Ohbi-directionalGalliuNitride(GaN)FETina

1.7x1.7WaferLevelChip-ScalePackage(WLCSP)

6December2024Productdatasheet

1.Generaldescription

TheGANB8R0-040CBAisa40V,8.0mΩbi-directionalGalliumNitrideGaN)HighElectron-

Mobility-TransistorHEMT)inaWaferLevelChip-ScaleWLCSP)package.Itisanormally-offe-

modedeviceofferingsuperiorperformance.

2.Featuresandbenefits

•Enhancementmode-normally-offpowerswitch

•Bi-directionaldevice

•Ultrahighswitchingspeedcapability

•Ultra-lowon-stateresistance

•RoHS,Pb-free,REACH-compliant

•Highefficiencyandhighpowerdensity

•WaferLevelChip-ScalePackageWLCSP)1.7mmx1.7mm

3.Applications

•High-sideloadswitch

•OVPprotectioninsmartphoneUSBport

•DC-to-DCconverters

•Powerswitchcircuits

•Stand-bypowersystem

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-drainvoltage-40°C≤T≤125°C[1]--40V

该用户很懒，什么也没介绍

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