网站大量收购闲置独家精品文档,联系QQ:2885784924

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析.pdfVIP

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析.pdf

  1. 1、本文档共8页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

海纳百川,有容乃大;壁立千仞,无欲则刚。——林则徐

1半导体二极管

自我检测题

一.选择和填空

1.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体,掺入杂质后称杂质半导体。若掺

入五价杂质,其多数载流子是电子。

2.在本征半导体中,空穴浓度_C_电子浓度;在N型半导体中,空穴浓度_B_电子

浓度;在P型半导体中,空穴浓度_A_电子浓度。

(A.大于,B.小于,C.等于)

3.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_C_,而少数载流子的浓度与_A_关系十分

密切。

(A.温度,B.掺杂工艺,C.杂质浓度)

4.当PN结外加正向电压时,扩散电流A漂移电流,耗尽层E;当PN结外加反向电压时,扩

散电流_B_漂移电流,耗尽层D。

(A.大于,B.小于,C.等于,D.变宽,E.变窄,F不变)

5.二极管实际就是一个PN结,PN结具有单向导电性,即处于正向偏置时,处于导通状

态;反向偏置时,处于截止状态。

6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B_,反向电流一般_C_;普通小功率锗二

极管的正向导通压降约为A,反向电流一般D。

(A.0.1〜0.3V,B.0.6〜0.8V,C.小于1口A,D.大于1口A)

7•已知某二极管在温度为25C时的伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为T1

时的伏安特性如图中虚线所示。在25C时,该二极管的死区电压为0.5伏,反向击穿电

海纳百川,有容乃大;壁立千仞,无欲则刚。——林则徐

-6T

压为160伏,反向电流为10安培。温度i小于25C。(大于、小于、等于)

图选择题7

v

8•PN结的特性方程是il(eVT1)。普通二极管工作在特性曲线的正向区;稳

s

压管工作在特性曲线的反向击穿区。

二.判断题(正确的在括号画V,错误的画X)

1•N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。()

X

2.在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。()

V

3.P型半导体带正电,N型半导体带负电。

文档评论(0)

188****7710 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档