半导体物理与器件实验报告综述 .pdf

课程实习报告

HUNANUNIVERSITY

题目：半导体物理与器件

学生姓名周强强

：

学生学号：20100820225

专业班级：通信二班

完成日期：2012.12.22

运行结果截图：





2.2函数Vx,tcos(2x/t)也是经典波动方程的解。令0x3，请在同一坐标中

x

绘出的函数Vx,t在不同情况下的图形。



(1)t0;(2)t0.25;(3)t0.5;(4)t0.75;(5)t

。

3.27根据式（3.79），绘制出0.2(EE)0.2eV范围内，不同温度条件下的费米-狄拉克

F

概率函数：(a)T200K,(b)T300K,(c)T400K。

（a）（b）（c）200KT600K

4.3画出硅，锗，砷化镓在温度范围内的本征载流子浓度曲线

（采用对数坐标）。

153N=0

4.46已知锗的掺杂浓度为N=310cm，。画出费米能级相对于本征费米能级的位

ad

置随温度变化（200KT600K)的曲线。

TT

193/2193/2

5.20硅中有效状态密度为N2.810()N1..0410()

c300300

T3/2T3/2





设迁移率为=1350=480



n300300



设禁带宽带为E=1.12eV，且不随温度变化。画出200KT600K范围内，本征电导率随

g

绝对温度T变化的关系曲线。

163

6.34n型硅样品的掺杂浓度为N10cm，产生的过剩载流子的浓度为

d

1443

p(x)10expx/10