algan背势垒异质结材料的生长优化.docx

下载文档

0
0
约2.13万字
约 27页
2024-12-26 发布于河北
举报
版权申诉
保障服务

algan背势垒异质结材料的生长优化.docx

1、本文档共27页，其中可免费阅读9页，需付费200金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

摘要

GaN材料的研究是目前半导体研究的前沿和热点，在GaN材料不断发展的过程中，人们发现AlGaN/GaN单异质结材料存在一些不足的地方，于是，对GaN基双异质结材料进行研究，这是十分是有意义的。文章第一部分介绍了GaN基研究的背景和意义，以及发展历程。文章第二部分对GaN基异质结形成的物理基础进行了简要说明，包括AlGaN/GaN异质结的能带理论和极化理论，对后续研究起到铺垫作用。文章第三部分生长分析了GaN基双异质结材料，结果展现了渐变背势垒结构有更好的电学特性，为后续材料优化做铺垫。文章第四部分对渐变背势垒双异质结进行优化研究，包括渐变层背势垒Al组份优化研究和渐变