全密封真空纳米管场效应晶体管及其制造方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN106910771A

(43)申请公布日2017.06.30

(21)申请号CN201510981410.3

(22)申请日2015.12.23

(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司

地址201306上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号3层

(72)发明人肖德元张汝京

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人金华

(51)Int.CI

H01L29/78

H01L21/336

H01L29/06

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

全密封真空纳米管场效应晶体管及

其制造方法

(57)摘要

本发明提出了一种全密封真空纳米

管场效应晶体管及其制造方法，在多孔薄

膜表面形成纳米颗粒作为触媒，接着形成

碳纳米管，源漏极包围栅介质层，将碳纳

米管密封在真空环境，从而在后续形成碳

纳米场效应晶体管之后能够降低器件工作

电压，提高器件使用寿命及其它性能。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,包括步骤:

提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成有介质层和多孔薄膜;

在所述多孔薄膜表面形成图案化的掩膜层,所述掩膜层暴露出部分多孔薄膜;

在暴露出的多孔薄膜表面形成金属触媒,并去除所述掩膜层;

在所述金属触媒上形成碳纳米管,并刻蚀去除部分多孔薄膜,所述碳纳米管的两端由

剩余的多孔薄膜支撑,使所述碳纳米管悬空;

在所述碳纳米管表面形成栅介质层;

在所述栅介质层及介质层表面形成金属栅极,所述金属栅极位于所述碳纳米管的中

端区域;

刻蚀去除位于碳纳米管两端表面的部分栅介质层,暴露出部分碳纳米管的两端;

刻蚀去除剩余的多孔薄膜;

在暴露出的碳纳米管两端及介质层表面分别形成源漏极,所述源漏极覆盖部分栅介

质层,并与所述金属栅极隔离。

2.如权利要求1所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,在

形成所述源漏极之后,还包括步骤:采用高温退火对所述源漏极进行处理,使所述源漏

极在碳纳米管处形成突出部。

3.如权利要求2所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所

述高温退火工艺的反应温度范围为600摄氏度~1200摄氏度。

4.如权利要求2所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所

述高温退火工艺采用的气体为HSub2/Sub或NSub2/Sub。

5.如权利要求2所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所

述高温退火工艺的反应时间范围为10秒~120分钟。

6.如权利要求1所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所

述多孔薄膜的形成步骤包括:

在所述介质层表面形成重掺杂多晶硅;

电子刻蚀所述重掺杂多晶硅,形成多孔的多晶硅,获得多孔薄膜。

7.如权利要求1所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所

述掩膜层包括氮化硅层和光阻,所述光阻形成在所述氮化硅表面。

8.如权利要求1所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所

述金属触媒包括Pt、Au、Ag、Cu或Ni。

9.如权利要求1所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,在

形成所述金属触媒之后形成碳纳米管之前,还包括步骤:对所述多孔薄膜在

HSub2/Sub或NSub2/Sub下进行烘烤。

10.如权利要求1所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所

述碳纳米管的形成步骤包括:在化学气相沉积腔室中通入CHSub4/Sub,在高温

下和金属触媒条件下形成碳纳米管。

11.如权利要求10所述的全密封真空纳米管场效应晶体管的制造方法