GaN薄膜制备技术的研究进展 .pdf

GaN薄膜制备技术的研究进展

摘要：由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效

应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点。本文综述了近年来

国内外GaN薄膜制备技术的研究进展，并重点介绍了其发展历程、所使用的设备

和技术、各自的优缺点及应用前景。通过比较这些技术的优缺点展望了制备GaN

薄膜技术的发展前景。

关键词：GaN薄膜制备方法CVD

前言：

近年来，Ⅲ一V族宽带隙(E2．3eV)的氮化物材料已成为半导体领域的研究

热点，其中，GaN具有直接宽禁带(室温下Eg一3．39eV)、发光效率高、电子漂

移饱和速度高、热导率高、硬度大、介电常数小、化学性质稳定以及抗辐射、耐

高温等特点。目前，GaN是制作高亮度蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)

和异质结场效应晶体管(HFETs)等光电子器件以及抗辐射、抗高频、抗高温、抗

高压等电子器件的理想材料。早在2O世纪3O年代Johnson等就采用金属镓(Ga)

和氨气(NH。)反应得到了GaN小晶粒和粉末。由于在实际应用中所使用的氮化镓

(GaN)材料主要为薄膜形式，研究人员尝试用多种方法来制备GaN薄膜，最早出

现的是氢化物气相外延(HVPE)，随后是金属有机气相沉积(MOCVD)和分子束外延

(MBE)，目前又出现了一些比较新型的方法，如电泳沉积、脉冲激光沉积、磁控

溅射(MS)、溶胶一凝胶(Sol—ge1)等。然而，要制备高质量、低成本的GaN薄膜，

现在采用的各种制备工艺还存在一定的局限性，因此发展合适的生长方法是研究

【1】

者关注与探索的目标。

1制备方法

1.1化学气相沉积(CVD)

CVD具有设备简单、易于操作、生长条件可控、成本低等优点。目前已有报

道证实，在既不需要催化剂也不需要模板的情况下，利用该设备能成功获得GaN

薄膜。采用此法成功地制得了尺寸一致、分布均匀、致密度较高、没有龟裂的高

质量GaN薄膜。

CVD方法的主要不足是：沉积速率低；若反应物为高温下易氧化的物质，则

需保证反应室无氧；反应温度较高，一般在1000℃以上，故衬底要耐高温。针

对CVD的这些缺陷，研究人员不断地改进设备与工艺条件，先后又发展了电子回

旋共振一等离子体辅助CVD、微波辅助CVD、激光辅助CVDE等，进一步完善了

CVD技术。例如，电子回旋共振一等离子体辅助CVD采用高密度等离子体使

TMGa(镓源)和N(氮源)容易分解，反应温度只需400℃。

2

另外，还有一些由CVD法延伸出的技术，如热壁外延(HWE)、热丝CVD(又称

为cat—CVD)、热网CVD(HM—CVD)等。

1.2氢化物气相外延(HVPE)

HVPE(又称氢化物气相外延)是早期研究Ⅲ一V族氮化物最成功的外延技术。

1967年Maruska等第一次用HVPE技术制备了大面积GaN外延层。之后人们又采

用金属Ga或其它金属镓化合物为镓源制备了GaN薄膜。

HVPE具有设备简单、生长速度快(速率高达700～800μm／h)的优点，可生

42

长均匀、大尺寸的GaN厚膜(位错密度仅为10／cm)，而且易实现p型和n型

掺杂。HVPE设备可分为2种，即水平式HVPE(见图2)和竖直式HVPE(见图3)。

2/6

HVPE也存在一些缺点，如高生长速率将导致膜厚难以精确控制，且易出现

裂纹和凹凸现象。研究人员发现在衬底表面生长缓冲层(A1N或GaN)可有效提高

GaN薄膜质量。

1.3金属有机化学气相沉积(MOCVD)

MOCVD(又称为金属有机气相外延(MOVPE))始于1971年，是目前应用最多、

生长GaN薄膜性能最好的方法，已成为GaN外延层工业生产的主导技术。采用该

工艺生长GaN薄膜时，通常以NH为氮源、三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)为

3

镓源，生长温度一般高于1000℃。

MOCVD工艺具有生长速率适中、膜厚可精确控制、