一二极管与门和或门电路1与门电路.pptVIP

5．74LS系列——为低功耗肖特基系列。6．74AS系列——为先进肖特基系列，它是74S系列的后继产品。7．74ALS系列——为先进低功耗肖特基系列，是74LS系列的后继产品。七、TTL集成逻辑门电路系列简介1．74系列——为TTL集成电路的早期产品，属中速TTL器件。2．74L系列——为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。3．74H系列——为高速TTL系列。4．74S系列——为肖特基TTL系列，进一步提高了速度。如图示。2.3MOS逻辑门电路所以输出为低电平。NMOS门电路NMOS非门逻辑关系：（设两管的开启电压为VT1=VT2=4V，且gm1＞＞gm2）当输入Vi为高电平8V时，T1导通，T2也导通。因为gm1＞＞gm2，所以两管的导通电阻RDS1＜＜RDS2，输出电压为：（2）当输入Vi为低电平0V时，T1截止，T2导通。所以输出电压为VOH=VDD-VT=8V，即输出为高电平。所以电路实现了非逻辑。2．NMOS门电路（1）与非门（2）或非门逻辑关系：二、CMOS非门（设VDD＞（VTN+|VTP|），且VTN=|VTP|）当Vi=0V时，TN截止，TP导通。输出VO≈VDD。当Vi=VDD时，TN导通，TP截止，输出VO≈0V。CMOS逻辑门电路是由N沟道MOSFET和P沟道MOSFET互补而成。010302（1）当Vi＜2V，TN截止，TP导通，输出Vo≈VDD=10V。（2）当2V＜Vi＜5V，TN工作在饱和区，TP工作在可变电阻区。（3）当Vi=5V，两管都工作在饱和区，Vo=（VDD/2）=5V。（4）当5V＜Vi＜8V，TP工作在饱和区，TN工作在可变电阻区。（5）当Vi＞8V，TP截止，TN导通，输出Vo=0V。可见：CMOS门电路的阈值电压Vth=VDD/22．电压传输特性：（设:VDD=10V，VTN=|VTP|=2V）3．工作速度由于CMOS非门电路工作时总有一个管子导通，所以当带电容负载时，给电容充电和放电都比较快。CMOS非门的平均传输延迟时间约为10ns。一、二极管与门和或门电路1．与门电路第二章逻辑门电路2.1基本逻辑门电路2．或门电路三极管非门电路二极管与门和或门电路的缺点：在多个门串接使用时，会出现低电平偏离标准数值的情况。负载能力差解决办法：将二极管与门（或门）电路和三极管非门电路组合起来。三、DTL与非门电路当A、B、C全接为高电平5V时，二极管D1～D3都截止，而D4、D5和T导通，且T为饱和导通，VL=0.3V，即输出低电平。A、B、C中只要有一个为低电平0.3V时，则VP≈1V，从而使D4、D5和T都截止，VL=VCC=5V，即输出高电平。01所以该电路满足与非逻辑关系，即：02工作原理：2.2TTL逻辑门电路TTL与非门的基本结构及工作原理TTL与非门的基本结构2．TTL与非门的逻辑关系01输入全为高电平3.6V时。02T2、T3导通，VB1=0.7×3=2.1（V），03由于T3饱和导通，输出电压为：VO=VCES3≈0.3V04这时T2也饱和导通，05故有VC2=VE2+VCE2=1V。06使T4和二极管D都截止。07实现了与非门的逻辑功能之一：08输入全为高电平时，09输出为低电平。（2）输入有低电平0.3V时。该发射结导通，VB1=1V。所以T2、T3都截止。由于T2截止，流过RC2的电流较小，可以忽略，所以VB4≈VCC=5V，使T4和D导通，则有：VO≈VCC-VBE4-VD=5-0.7-0.7=3.6（V）实现了与非门的逻辑功能的另一方面：输入有低电平时，输出为高电平。综合上述两种情况，该电路满足与非的逻辑功能，即：二、TTL与非门的开关速度TTL与非门提高工作速度的原理采用多发射极三极管加快了存储电荷的消散过程。采用了推拉式输出级，输出阻抗比较小，可迅速给负载电容充放电。2．TTL与非门传输延迟时间tpd导通延迟时间tPHL——从输入波形上升沿的中点到输出波形下降沿的中点所经历的时间。截止延迟时间tPLH——从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的中点所经历的时间。与非门的传输延迟时间tpd是tPHL和tPLH的平均值。即一般TTL与非门传输延迟时间tpd的值为几纳秒～十几个纳秒。电压传输特性曲线：Vo=f（Vi）TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力2．几个重要参