《电工学半导体器》课件.pptVIP

*****************半导体器件的发展历程11947年，晶体管诞生贝尔实验室的威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了第一个晶体管，开启了半导体器件的时代。220世纪50年代，集成电路出现杰克·基尔比和罗伯特·诺伊斯分别独立地发明了集成电路，将多个电子元件集成在一个半导体芯片上。320世纪70年代，微处理器问世英特尔公司推出了第一款微处理器，将计算机的核心功能集成到一个芯片上，开启了计算机的微型化时代。421世纪，纳米技术应用于半导体随着纳米技术的不断发展，半导体器件的尺寸不断缩小，性能不断提升，推动了计算机、通信等领域的发展。半导体材料的分类及性质硅硅是地壳中含量最多的元素之一，具有良好的半导体特性，广泛应用于电子器件中。锗锗的导电性能介于导体和绝缘体之间，主要用于制造高频晶体管和红外探测器。砷化镓砷化镓是第三代半导体材料，具有高速、高频、耐高温等优点，应用于光电子器件和高速集成电路。半导体的能带理论能带理论基础能带理论解释了半导体材料的导电特性。原子核外电子按能级排列，形成能带。价带代表电子参与键合的能量范围，导带代表自由电子能级。能带结构半导体材料的导带和价带之间存在能隙，电子需要克服该能隙才能从价带跃迁到导带，从而参与导电。温度影响温度升高时，电子获得能量更容易跃迁到导带，半导体电阻率降低。稳态载流子浓度分析稳态载流子浓度是指在一定温度下，半导体材料中自由电子和空穴的浓度达到平衡时的浓度。它是半导体材料的重要参数，与半导体器件的特性密切相关。ni本征浓度本征半导体中自由电子和空穴的浓度相等。n电子浓度N型半导体中自由电子的浓度大于空穴的浓度。p空穴浓度P型半导体中空穴的浓度大于自由电子的浓度。电流密度和电场强度电流密度表示单位面积上的电流大小，反映电流的集中程度。电场强度反映电场力的强弱，与单位正电荷在电场中受到的力成正比。关系电场强度与电流密度之间存在着密切的联系，反映了电场力对电荷的驱动作用。PN结的基本结构PN结是由两种类型的半导体材料，即P型半导体和N型半导体，通过一定的工艺过程，在同一个晶体中紧密结合而形成的。PN结是一个具有特殊电学特性的结构，它在半导体器件中起着关键作用。PN结的正向特性正向偏置当PN结的P型区连接电源的正极，N型区连接电源的负极时，PN结处于正向偏置状态。电流特性正向偏置时，PN结中的势垒高度降低，允许载流子更容易地跨越PN结。正向电流随着正向电压的增加而快速增大，呈现指数增长趋势。PN结的反向特性1反向偏置当PN结处于反向偏置状态时，电子和空穴被拉向相反的方向，导致PN结中载流子浓度降低。2反向电流由于反向偏置下，电子和空穴数量减少，反向电流非常小，接近于零，通常被称为反向饱和电流。3反向击穿如果反向电压继续增大，PN结会发生击穿，反向电流迅速增加，甚至可能导致器件损坏。4反向特性图PN结的反向特性曲线呈现出反向电流几乎为零，然后在击穿电压附近突然增大的趋势。PN结的电容特性PN结的电容特性是指PN结在反向偏置电压作用下表现出的电容效应。PN结的电容特性由两个因素决定：PN结的势垒宽度和PN结两侧的载流子浓度。PN结的电容特性在许多半导体器件中发挥着重要作用，例如二极管、三极管和MOSFET等。双极型晶体管的工作原理1发射结正向偏置2集电结反向偏置3放大效应发射极电流控制集电极电流双极型晶体管(BJT)由三个区域组成：发射极、基极和集电极，它们由两种类型的半导体材料构成。当发射结正向偏置，集电结反向偏置时，发射极的电子流入基极，并在基极与集电极之间的区域被放大。双极型晶体管的静态特性静态特性描述意义输入特性基极电流与基极-发射极电压的关系反映了基极电流对输入电压的控制输出特性集电极电流与集电极-发射极电压的关系反映了集电极电流对输出电压的响应转移特性集电极电流与基极电流的关系反映了输入电流对输出电流的放大作用双极型晶体管的放大功能电流放大双极型晶体管可以放大微弱的输入电流，产生更大的输出电流，实现信号的增强。电压放大晶体管可以放大输入电压，产生更大的输出电压，实现信号的增益。功率放大双极型晶体管可放大输入信号的功率，实现信号的功率放大。场效应管的工作原理1控制栅极控制栅极电压改变通道电阻2源极提供电子或空穴3漏极收集电子或空穴4通道电子或空穴的流动路径场效应管通过控制栅极电压来控制通道电阻，从而调节电流。当栅极电压发生变化时，通道的电阻也会随之改变，进而影响电流的流动。场效应管分为两种类型：N型场效