《La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱影响的研究》.docx

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2024-12-28 发布于北京
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《La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱影响的研究》

一、引言

近年来，ZnO作为一种重要的半导体材料，因其具有优异的物理和化学性质，在光电子器件、传感器和太阳能电池等领域得到了广泛的应用。通过掺杂不同元素，可以有效地调控ZnO的电子结构和光学性质。本论文旨在研究La-N和Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱的影响，为ZnO材料在光电器件等领域的实际应用提供理论依据。

二、La-N掺杂对ZnO电子结构及吸收光谱的影响

La-N掺杂能够改变ZnO的晶格结构，影响其电子结构和吸收光谱。首先，我们研究了La-N掺杂浓度对ZnO电子结构的影响。随着La-N掺杂浓度的增加，ZnO的电子结