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操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰
毕业设计（论文）
题目硅片清洗原理与改进方法
所属系太阳能科学与工程系
专业光伏材料加工与应用技术
操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰
硅片清洗原理与改进方法
摘要
随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片
的质量要求也越来越高,特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。
在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,硅片
清洗的好坏对器件性能有严重的影响,处理不当,可能使全部硅片报废,做不出
管子来,或者制造出来的器件性能低劣,稳定性和可靠性很差。因此弄清楚硅片
清洗的方法和原理,不管是对于从事硅片加工的人,还是对于从事半导体器件生
产的人来说都有着重要的意义。
本文对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述,同时
对一些常用的清洗方案进行了浅析,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简
单论述。最后介绍了清洗工艺的最新进展。
关键词：硅片；清洗；湿法化学清洗；干法清洗技术；最新进展
操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰
Siliconwafercleaningprincipleandimproving
methods
Abstract
Alongwiththedevelopmentoflargescaleintegratedcircuit,theconstant
improvementofthelevelofintegration,thelinewidthofconstantlydecrease,
thequalityrequirementsofthesiliconwaferofmoreandmoreisalsohigh,
especiallyinsiliconPaoGuangPiansurfacequalityrequirementsmoreandmore
severe.
Insilicontransistorsandintegratedcircuitproduction,almostevery
processistheproblemofsiliconcleaning,thestandorfallofsiliconcleaning
deviceperformancetohaveaseriousimpact,processesimproper,maymake
allsiliconscrap,cantmakethetubeto,ormadetheinferiordevice
performance,stabilityandreliabilityispoor.Soclearofthesiliconcleaning
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