半导体物理与器件物理.pptxVIP

半导体物理与器件物理Semic;主要教材:《半导体物理学》，刘;Part1:半导体物理学P;半导体中的电子状态半导体中杂质;固态电子学分支之一微电子学光电;工学（08）0808电气工;微电子学研究领域半导体物理、材;固体材料：绝缘体、半导体、导体;无标题;绪论：微电子、IC的发展历史早;无标题;ENIAC（1946）;无标题;无标题;无标题;无标题;无标题;无标题;无标题;无标题;无标题;无标题;SolutionsNew,n;Moore’slaw10G;1.E+91.E+81.E+7;微处理器的性能100G10;集成电路技术是近50年来发展最;无标题;无标题;等比例缩小(Scaling-d;恒定电压等比例缩小规律(简称C;无标题;无标题;A、特征尺寸继续等比例缩小，;第一个关键技术：微细加工目前0;互连技术与器件特征尺寸的缩小（;第三个关键技术新型器件结构新型;传统的栅结构重掺杂多晶硅S;随着tgate的缩小，栅泄;栅介质的限制等效;隧穿效应SiO2的性质栅介质层;0.1?mSub0.1?m;2030年后，半导体加工技术走;SOCSystemOnA;IC的速度很高、功耗很小，但由;六十年代的集成电路设计微米级工;八十年代的电子系统设计PEL2;世纪之交的系统设计SYSTEM;SOC是从整个系统的角度出发，;SOC与IC组成的系统相比，由;SOC的三大支持技术软硬件协同;2)IP技术软IP核：Sof;半导体产业的发展C;IP的特点复用率高;3）InterfaceSyn;C、MEMS技术和DNA芯片微;MEMS器件及应用汽车工业安全;大机器加工小机器，小机器加工微;从广义上讲，MEMS是指集微型;MEMS在航空、航天、汽车、生;2）DNA芯片微电子与生物技;一般意义上的系统集成芯片;张海霞“微纳大世界”演讲视频;半导体中的电子状态?半导体中杂;半导体的纯度和结构纯度极高，杂;晶体结构具五次对称轴定向长程有;晶体结构;无标题;晶体结构单胞对于任何给定的晶体;晶体结构三维立方单胞;金刚石晶体结构金刚石结构原子结;金刚石的晶胞金刚石也是一个a=;金刚石的晶胞;Graphite、C60M;元素半导体：Si、G;例：如图所示为一晶格常数为a的;化合物半导体:G;金刚石结构（黑白原子同类）硅;;闪锌矿晶体结构;HCPmovie;FCCvsHCP;纤锌矿晶体结构复式格子六方晶系;NaClMovies;CO2,SiO2Movies;原子的能级电子壳层不同子壳层电;+14电子的能级是量子化的n=;原子能级的分裂孤立原子的能级;原子能级的分裂原子能级分裂为能;能带形成简单示意Energy;Semiconductor,;Si的能带（价带、导带和带隙;价带：0K条件下被电子填充的;无标题;自由电子的运动微观粒子具有波粒;半导体中电子的运动薛定谔方程及;导体、半导体、绝缘体的能带固体;半导体、绝缘体和导体;半导体的能带本征激发;半导体中E（K）与K的关系在导;半导体中E（K）与K的关系令;自由电子的能量微观粒子具有波粒;半导体中电子的平均速度在周期性;自由电子的速度微观粒子具有波粒;半导体中电子的加速度半导体中电;半导体中电子的加速度令;有效质量m*的意义自由电子只受;有效质量m*的意义电子在外力作;空穴只有非满带电子才可导电导带;K空间等能面在k=0处为能带极;K空间等能面以、;K空间等能面对应于某一;硅的导带结构实际根据回旋共振结;锗的导带结构N型Ge的试验结果;硅和锗的能带结构间接带隙间接带;Si1-xGex混合晶体的能带;砷化镓的能带结构?导带极小值位;关于本节的内容要深刻地理解，必;半导体中的电子状态半导体中杂质;实际晶体与理想情况的偏离晶格原;极微量的杂质和缺陷，会对半导体;间隙式杂质、替位式杂质杂质原子;间隙式杂质、替位式杂质单位体积;施主：掺入在半导体中的杂质原子;受主：掺入在半导体中的杂质原子;Ga或As在Si中掺杂;半导体的掺杂Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si;浅能级杂质浅能级杂质：电离能小;杂质的补偿作用半导体中同时存在;杂质的补偿作用杂质补偿：半导体;设半导体中同时存在施主和受主杂;设半导体中同时存在施主和受主杂;深能级杂质深能级杂质：非ⅢⅤ族;化合物半导体中的杂质能级杂质在;§2.2.1杂质在砷化镓中的;点缺陷弗仓克耳缺陷间隙原子和空;点缺陷替位原子（化合物半导体）;位错位错是半导体中的一种线缺陷;位错施主情况;半导体中的电子状态半导体中杂质;热平衡状态在一定温度下，载流子;态密度的概念能带中能量附;态密度的计算状态密度的计算单位;空间中的量子态