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表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法 编制说明.docx

表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法 编制说明.docx

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表面化学分析深度剖析AES和XPS深度剖析时离子束对

准方法及其束流或束流密度的测量方法

编制说明(征求意见稿)

一、工作简况

1.1任务来源

2023年7月提交了修订本标准项目建议书(???通知名称,文件号???),计划等同采标ISO16531:2020,修订本标准。2024年03月25日国家标准化管理委员会下达修订计划任务,计划编号为:T-469,由北京师范大学、中国计量科学研究院负责起草,任务周期为16个月。2024年8月通知国标复审(???通知题目和文件号???),复审结果,等同采用ISO16531:2020。(ISO正在修订ISO16531:2020,估计在2025年发布,按进度2025年7月报批,会不会影响报批稿的审批)

1.2目的意义

AES和XPS样品表面离子束清洁刻蚀、离子溅射深度剖析是表面分析中应用广泛的分析技术。离子扫描刻蚀时,需要使用相应技术规范,校准离子束、确定刻蚀速率的方法基础标准,获得正确结果。GB/T34326—2017,2017年首次发布,等同采标ISO16531:2013。2020年ISO公布了修订版ISO16531:2020,对标准文本中作了多项技术性修订和一些编辑性修订。为此需尽快采标新版转化成国标,以保持该标准先进性,与国际接轨。

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1.3修订主要内容

本文件适用于俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)中使用惰性气体离子刻蚀样品功能,调节优化扫描离子束对准的方法,包括两大类:1)法拉第杯测量离子电流方法;2)二次信号成像方法。

法拉第杯法还用于离子束流密度和束流分布的测量。这些方法适用于束斑直径小于或等于1mm的离子枪。相较于上一版,修订了“使用圆孔法拉第杯对准(5.3)”、“使用离子束栅格扫描时离子诱导二次电子图像对准(5.4)”中的部分技术内容。使提供的对准方法更具适用性。

1.4制定背景及起草人分工情况

AES和XPS离子溅射深度剖析是表面分析中应用较广泛的一项表面分析技术。此功能是在进行AES和XPS分析的同时,配合安装的离子枪,交替进行AES、XPS检测和原位离子刻蚀。但是现行离子刻蚀技术应用不规范,缺乏离子束对中、扫描、确定刻蚀速率的方法基础标准,所得的深度剖析等结果准确性差。为充分发挥国内现有电子能谱仪上离子束刻蚀深度剖析功能效用,提高拓展AES、XPS高水平应用,迫切需要制修定离子束刻蚀应用方法基础标准。现行国家标准GB/T34326,《表面化学分析深度剖析AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法》2017年首次发布实施。此标准等同采标ISO16531:2013。此标准填补国内离子束对中、束流强度测量方法标准中的空白。2020年,国际标准化组织(ISO)

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修订并发布了ISO16531:2020。为保持标准先进性,对现行GB/T34326标准进行修订。2024年3月国标委下达了修订计划任务书,有北京师范大学、中国计量科学院研究院共同牵头组建起草小组,承担此修订任务。此次修订计划等同采表ISO16531:2020标准。

起草小组由吴正龙(北京师范大学)、王海(中国计量科学研究院)、范燕(季华实验室)和徐鹏(国家纳米科学中心)共同组成。任务分工如下:

吴正龙、王海作为主要起草人,负责组织协调,搜集整理相关资料。负责起草征求意见草稿。负责组织国内单位征求意见,组织讨论处理征求意见,修改完善文本,准备送审稿和相关文件。组织验证实验,结果分析等。报批稿及其他相关资料的起草修改完善,报送等。

范燕、徐鹏负责向相关单位发放征求稿,整理汇总意见。文件资料规范检查整理核对。帮助组织验证性实验,结果整理分析等。

1.5主要工作过程

起草阶段

2022年年底由全国微束分析标准化委员会表面化学分委员会提出推荐性国家标准修订意见。本标准的修订工作于2023年6月,由北京师范大学、中国计量科学研究院完成修订草案初稿,并与2023年10月上报国家标准化管理委员会申请立项。

征求意见启动阶段

2024年3月至2024年12月,起草小组开展了标准调研、资料收集工作,对原标准进行了仔细审查和反复推敲,不断完善形成《意

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见征求稿(草案)》。征求了多位专家和相关使用单位的意见。在此基础上标准起草小组,调研了ISO公布的相关资料,在原有标准的基础上进行了仔细审查,最终于2024年12月完成征求意见稿,并报送表面化

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