《半导体物理》教学大纲(电子科学与技术).pdfVIP

半导体物理课程教学大纲

一、课程的基本信息

适应对象：电子科学与技术专业本科、光电信息科学与工程专业本科

课程代码：A9E00514

学时分配：54

赋予学分：3

先修课程：高等数学、大学物理

后续课程：光电技术、模拟集成电路设计、集成电路原理及应用

二、课程性质与任务

本课程是面向电子科学与技术专业本科生开设的一门学科基础课程课程。本课程的任务是使

学生牢固掌握半导体物理的基础知识，深入理解半导体原子状态和电子状态以及各种半导体器件

内部电子过程。

三、教学目的与要求

设置本课程的目的是使学生通过本课程的学习，要求掌握有关半导体物理学的基本理论和基

本方法，了解半导体物理学的发展历程和相关理论各种半导体器件、集成电路和半导体激光器等

领域的广泛应用。

四、教学内容与安排

绪论（2学时）

教学内容：

1、半导体物理的基本内容介绍

2、学习半导体物理的准备知识：晶格结构和类型，微粒位矢的描述，晶列和晶面的表述，处理微

粒运动的方法

教学要求：

1、了解半导体物理的基本内容

2、掌握学习半导体物理必须储备的准备知识

第一章半导体中的电子状态（6学时）

教学内容：

1、半导体的晶格结构与结合性质

2、半导体中的电子状态和能带

3、半导体中的电子运动、有效质量

4、本征半导体的导电机构、空穴

5、回旋共振

6、锗、硅的能带结构

教学要求：

1、掌握半导体的晶格结构与结合性质：重点掌握半导体硅、锗（金刚石型）、半导体的闪锌矿型、

半导体的纤锌矿型的晶体结构及其特点。

2、掌握半导体中的电子状态和导体、半导体、绝缘体的能带特征。

3、理解半导体中的电子运动的特征和有效质量的含义。

4、理解本征半导体的导电机构和空穴的本质。

5、了解回旋共振的特点：k空间等能面、回旋共振的特点。

6、了解锗、硅的能带结构。

第二章半导体中的杂质和缺陷能级（2学时）

教学内容：

1、锗、硅晶体中的杂质能级

2、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级

3、缺陷、位错能级（自学）

教学要求：

1、掌握锗、硅晶体中的杂质类型、施主杂质和受主杂质得的能级、杂质的补偿作用、浅能杂质电

离能的简单计算、深能级杂质的特征。

2、理解Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级。

第三章半导体中载流子的统计分布（6学时）

教学内容：

1、状态密度

2、费米能级和载流子的统计分布

3、本征半导体的载流子浓度

4、杂质半导体的载流子浓度

5、一般情况下的载流子的统计分布

6、简并半导体

教学要求：

1、掌握状态密度的概念和计算方法。

2、掌握费米能级和载流子的统计分布规律，能计算一定温度下本征和杂质半导体中热平衡载流子

浓度，并掌握半导体中载流子浓度随温度变化的规律。

3、掌握本征半导体的载流子浓度的特性和计算方法。

4、掌握杂质半导体的载流子浓度的特性和计算方法。

5、了解一般情况下的载流子的统计分布

6、掌握简并半导体的基本特征

第四章半导体的导电性（6学时）

教学内容：

1、载流子的漂移运动和迁移率

2、载流子的散射

3、迁移率与杂质浓度和温度的关系

4、电阻率及其与杂质浓度和温度的关系

5、玻尔兹曼方程、电导的统计理论（自学）

6、强电场效应，热载流子

7、多能谷散射，耿氏效应（自学）

教学要求：

1、掌握载流子漂移运动和迁移率的本质特性和规律。

2、掌握载流子散射的概念和机制。

3、掌握迁移率与杂质浓度和温度的关系。

4、掌握半导体的电阻率与杂质浓度和温度关系。

5、了解强电场下欧姆定律的偏离效应。

第五章非平衡载流子（6学时）

教学内容：

1、非平衡载流子的注人与复合

2、非平衡载流子的寿命

3、准费米能级

4、复合理论

5、陷阱效应（自学）

6、载流子的扩散运动

7、载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式

8、连续性方程（自学）

9、硅的少数载流子寿命与扩散长度（自学）

教学要求：

1、理解非平衡载流子的注入与复合的物理本质。

2、掌握非平衡载流子寿命的计算方法。

3、了解准费米能级。

4、掌握四大复合理论（直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合）的本质内容。

5、掌握载流子扩散运动的规律。

6、掌握载流子的漂移运动规律，爱因斯坦关系式。

第六章pn结（6学时）

教学内容：

1、p-n结及其能带图

2、p-n电流电压特性

3、p-n结电容

4、p-n结击穿

5、p-n结隧道效应

教学要求：

1、理解并掌握pn结的基本概念、形成方法和物理特性