第3篇第八章光刻胶ppt课件.pptxVIP

微电子工艺原理与技术;第八章

光刻胶;主要内容;;光刻胶的两个基本性能为灵敏度和分辨率。

灵敏度是指发生上述化学变化所需的光能量（J/cm2）。灵敏度越高，曝光过程越快，所需曝光时间越短。分辨率是指排除光刻设备影响，能在光刻胶上再现的最小特征尺寸。;苯芳香族环烃;正胶的感光剂、基体结构;;负胶的成分和感光反应;正胶与负胶的性能比较：

显影液不易进入正胶的未曝光部分，正胶光刻后线条不变形。显影液会使负胶膨胀，线条变宽。虽然烘烤后能收缩，但易变形。所以负胶不适合2.0微米以下工艺使用。正胶是ULSI的主要光刻胶。

正胶的针孔密度低，但对衬低的粘附差，通常用HMDS作增粘处理。负胶对衬底粘附好，针孔密度较高。

3.正胶耐化学腐蚀，是良好的掩蔽薄膜。;两种光刻胶的性能;两种光刻胶的性能;3.对比度曲线;理想的对比度曲线;DQN正胶的实测对比度曲线;光刻胶的吸收;TR是胶的厚度;例题8.1;4.临界调制函数;例题8.2;;前烘条件控制的重要性;前烘+曝光后烘烤对对比度的影响;坚膜温度对显影后光刻胶台阶的影响;光刻胶的涂敷和显影设备;;树脂对光的吸收不会使PAC发生光化学反应，而树脂对深紫外光的吸收很好，所以，DQN胶不适合低于250nm深紫外光的使用。

圆片表面的台阶将使涂布的胶的厚度不均匀，胶在台阶边缘厚，而在台阶上薄，从而有不同的对比度和不同的感光量要求，导致经过台阶线条的变形，甚至会影响器件的可靠性。解决办法是预先平坦化和采用多层胶，降低台阶高度的影响，但工艺复杂。;台阶对光刻的影响;作业：P200

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