algan背势垒异质结材料的生长优化.docx

摘要

GaN材料的研究是目前半导体研究的前沿和热点，在GaN材料不断发展的过程中，人们发现AlGaN/GaN单异质结材料存在一些不足的地方，于是，对GaN基双异质结材料进行研究，这是十分是有意义的。文章第一部分介绍了GaN基研究的背景和意义，以及发展历程。文章第二部分对GaN基异质结形成的物理基础进行了简要说明，包括AlGaN/GaN异质结的能带理论和极化理论，对后续研究起到铺垫作用。文章第三部分生长分析了GaN基双异质结材料，结果展现了渐变背势垒结构有更好的电学特性，为后续材料优化做铺垫。文章第四部分对渐变背势垒双异质结进行优化研究，包括渐变层背势垒Al组份优化研究和渐变