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十年高考真题(2014-2023)分项汇编 化学 专题97 工艺流程——非金属元素载体 含解析.docx

十年高考真题(2014-2023)分项汇编 化学 专题97 工艺流程——非金属元素载体 含解析.docx

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1.【2023年湖北卷】是生产多晶硅的副产物。利用对废弃的锂电池正极材料进行氯化处理以回收Li、Co等金属,工艺路线如下:

??

回答下列问题:

(1)Co位于元素周期表第周期,第族。

(2)烧渣是LiCl、和的混合物,“500℃焙烧”后剩余的应先除去,否则水浸时会产生大量烟雾,用化学方程式表示其原因。

(3)鉴别洗净的“滤饼3”和固体常用方法的名称是。

(4)已知,若“沉钴过滤”的pH控制为10.0,则溶液中浓度为。“850℃煅烧”时的化学方程式为。

(5)导致比易水解的因素有(填标号)。

a.Si-Cl键极性更大????????b.Si的原子半径更大

c.Si-Cl键键能更大????????d.Si有更多的价层轨道

【答案】(1)4Ⅷ

(2)

(3)焰色反应

(4)

(5)abd

【解析】由流程和题中信息可知,粗品与在500℃焙烧时生成氧气和烧渣,烧渣是LiCl、和的混合物;烧渣经水浸、过滤后得滤液1和滤饼1,滤饼1的主要成分是和;滤液1用氢氧化钠溶液沉钴,过滤后得滤饼2(主要成分为)和滤液2(主要溶质为LiCl);滤饼2置于空气中在850℃煅烧得到;滤液2经碳酸钠溶液沉锂,得到滤液3和滤饼3,滤饼3为。

(1)Co是27号元素,其原子有4个电子层,其价电子排布为,元素周期表第8、9、10三个纵行合称第Ⅷ族,因此,其位于元素周期表第4周期、第Ⅷ族。

(2)“500℃焙烧”后剩余的应先除去,否则水浸时会产生大量烟雾,由此可知,四氯化硅与可水反应且能生成氯化氢和硅酸,故其原因是:遇水剧烈水解,生成硅酸和氯化氢,该反应的化学方程式为。

(3)洗净的“滤饼3”的主要成分为,常用焰色反应鉴别和,的焰色反应为紫红色,而的焰色反应为黄色。故鉴别“滤饼3”和固体常用方法的名称是焰色反应。

(4)已知,若“沉钴过滤”的pH控制为10.0,则溶液中,浓度为。“850℃煅烧”时,与反应生成和,该反应的化学方程式为。

(5)a.Si-Cl键极性更大,则Si-Cl键更易断裂,因此,比易水解,a有关;???????

b.Si的原子半径更大,因此,中的共用电子对更加偏向于,从而导致Si-Cl键极性更大,且Si原子更易受到水电离的的进攻,因此,比易水解,b有关;

c.通常键能越大化学键越稳定且不易断裂,因此,Si-Cl键键能更大不能说明Si-Cl更易断裂,故不能说明比易水解,c无关;????????

d.Si有更多的价层轨道,因此更易与水电离的形成化学键,从而导致比易水解,d有关;

综上所述,导致比易水解的因素有abd。

2.【2023年湖北卷】超纯是制备第三代半导体的支撑源材料之一,近年来,我国科技工作者开发了超纯纯化、超纯分析和超纯灌装一系列高新技术,在研制超纯方面取得了显著成果,工业上以粗镓为原料,制备超纯的工艺流程如下:

已知:①金属的化学性质和相似,的熔点为;

②(乙醚)和(三正辛胺)在上述流程中可作为配体;

③相关物质的沸点:

物质

沸点/

55.7

34.6

42.4

365.8

回答下列问题:

(1)晶体的晶体类型是;

(2)“电解精炼”装置如图所示,电解池温度控制在的原因是,阴极的电极反应式为;

(3)“合成”工序中的产物还包括和,写出该反应的化学方程式:;

(4)“残渣”经纯水处理,能产生可燃性气体,该气体主要成分是;

(5)下列说法错误的是_______;

A.流程中得到了循环利用

B.流程中,“合成”至“工序X”需在无水无氧的条件下进行

C.“工序X”的作用是解配,并蒸出

D.用核磁共振氢谱不能区分和

(6)直接分解不能制备超纯,而本流程采用“配体交换”工艺制备超纯的理由是;

(7)比较分子中的键角大小:(填“”“”或“=”),其原因是。

【答案】(1)分子晶体

(2)保证Ga为液体,便于纯Ga流出Ga3++3eˉ=Ga

(3)8CH3I+2Et2O+Ga2Mg5=2+3+2;

(4)CH4

(5)D

(6)NR3沸点较高,易与Ga(CH3)3分离,Et2O的沸点低于Ga(CH3)3,一起气化,难以得到超纯Ga(CH3)3

(7)Ga(CH3)3中Ga为sp2杂化,所以为平面结构,而Ga(CH3)3(Et2O)中Ga为sp3杂化,所以为四面体结构,故夹角较小

【解析】以粗镓为原料,制备超纯,粗Ga经过电解精炼得到纯Ga,Ga和Mg反应生产Ga2Mg5,Ga2Mg5和CH3I、Et2O反应生成、MgI2和CH3MgI,然后经过蒸发溶剂、蒸馏,除

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