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2.1半导体的基础知识;2.1.1本征半导体;半导体的重要物理特性是它的电导率,电导率与材料内单位体积中含的电荷载流子的数量有关。;硅(锗)的原子结构;本征激发:;两种载流子;2.1.2杂质半导体;;二、杂质半导体的导电作用;三、P型、N型半导体的简化图示;;3.扩散和漂移达到动态平衡;;三、PN结的伏安特性;2.2半导体二极管;2.2.1半导体二极管的结构和类型;点接触型;2.2.2二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型:;硅管的伏安特性;二极管的电阻;温度对二极管特性的影响;2.2.3二极管的主要参数;影响工作频率的原因—;2.3二极管电路的
分析方法;2.3.1理想二极管及二极管特性的折线近似;二、二极管的恒压降模型;三、二极管的折线近似模型;UD(on);[解];例2.3.2试求电路中电流I1、I2、IO和输出电压
UO的值。;UO=VDD1?UD(on)=15?0.7=14.3(V);例2.3.3二极管构成“门”电路,设V1、V2均为理想二极管,当输入电压UA、UB为低电压0V和高电压5V的不同组合时,求输出电压UO的值。;输入电压;例2.3.5ui=2sin?t(V),分析二极管的限幅作用。;思考题:;;2.动态分析;2.4特殊二极管;2.4.1稳压二极管;二、主要参数;5.稳定电压温度系数CTV;例2.4.1分析简单稳压电路的工作原理,
R为限流电阻。;2.4.2发光二极管与光敏二极管;2.主要参数;二、光敏二极管;2.5双极型半导体
三极管;(SemiconductorTransistor);分类:;1.三极管内部载流子的传输过程;ICN;2.三极管的电流分配关系;;3.三极管放大的条件;实现电路:;2.5.2晶体三极管的特性曲线;;二、输出特性;;;三、温度对特性曲线的影响;2.温度升高,输出特性曲线向上移。;2.5.3晶体三极管的主要参数;;三、极限参数;U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。;小结;一、两种半导体和两种载流子;iD;3.二极管的等效模型;4.二极管的分析方法;三、半导体放大器件;放
大
条
件;4.特性;;;四、晶体管电路的基本问题和分析方法;判断饱和还是放大:;精品课件!;精品课件!;
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