双极性晶体管讲义.pptVIP

αR：C结正偏，E结零偏反向电流增益同理，对倒向晶体管ICS是E结短路，C结的反向饱和电流等效电路模型等效电路模型由图代入式（）、（）得E-M方程等效电路见图等效电路模型”得E-M方程互易定理1实际器件中2等效电路模型3(2-90)(2-92)E-M方程互易定理并注意推导该二式的边界条件，且则E-M方程中的系数（考虑npn实际电流方向，88，89右边乘以“-1”）互易定理的本质是：eb结与cb结有共同部分（基区），无论哪个结短路，另一个结的反向饱和电流都含有共同的基区少子扩散电流(书上误为漂移电流P112)(2-91)等效电路模型3.5等效电路模型为正常偏压下共基极输出端短路电流放大系数为反向运用下共基极输出端短路电流放大系数由（2-89）当时代入（2-88）得(2-94)(2-95)上式又可写为于是得到12345同理，由可导出由（2-88）时由（2-89）时（2-95），（2-96）新含意：集电结（发射结）短路时的发射结（集电结）饱和电流等于集电结（发射结）开路时的发射结（集电结）饱和电流除以(1－αRαF)，一般αRαF均小于1，∴IEB0,ICB0都小于IES,ICS(2-96)(2-97)(2-98)(2-97)3.5等效电路模型1若以-αR×(3.89)+(3.88)得同理分别以（2-95）（2-96）代入上二式，得2(3-99)3(3-100)4上述二式均可等效为一个电流源与一个二极管并联，如下图所示5等效电路模型基极可由（2-88），（2-89）求出（2-101）等效电路模型dx层方块电阻厚度Wb的薄层电阻R□b应由无数个dx薄层电阻并联所以所以同理，对发射区低频共基极电流增益如何求R□b计算法：由所测得的将高斯分布代入求得代入得到R□b3.3低频共基极电流增益B.基区输运系数（npn管）得基区任意掺杂之基区电荷其中为基区复合电流3.3低频共基极电流增益3.3低频共基极电流增益对均匀基区常数代入上式得对线性基区代入（2-60）得对指数分布电流放大系数3.3低频共基极电流增益非理想效应基区宽变效应基区有效宽度随集电结偏压而变化的现象称为基区宽度调变效应（厄尔利效应）厄尔利电压反映了基区宽度调变效应对电流放大系数的影响对均匀基区NPN晶体管对非均匀基区晶体管，集电结为线性缓变结设为无宽变效应的电流放大系数为有宽变效应的电流放大系数为冶金结宽度非理想效应大注入效应基区电导调制效应(npn管）小注入时基区电阻率:非理想效应大注入时的基区电阻率（受到Δn影响）:大注入时，基区电阻率ρb’随注入电子浓度Δn增加而下降,称之为基区电导调制效应.基区大注入下的电流均匀基区情形：大注入N+P结有E区向基区注入电子形成的电流相当于Dnb扩大了一倍.非理想效应3.4非理想效应3.4.3有效基区扩展效应均匀基区晶体管，电中性条件大电流下，空穴的注入使得大电流下电中性正电荷密度增加负电荷密度减少C结势垒区由空穴漂移电流推出左边为右边为左=右,并令，得小注入势垒区宽度非理想效应结论：(1)当pND时，小注入,xm=xm0,C结空电区边界不动。当pND时,特大注入,xm→0有效基区扩展到CB结冶金结处。时非理想效应13.4.4发射区重掺杂效应（发射区禁带变窄）2发射区过重的掺杂不仅不能提高发射效率，反而使发射效率降低形成杂质带尾，禁带变窄5非理想效应4发射区有效杂质浓度降低为3本征载流子浓度与带隙宽度直接相关3.4非理想效应发射区有效杂质浓度降低，导致发射效率下降为俄歇复合发射区少子空穴寿命基区表面复合基区表面复合电流俄歇复合通过复合中心复合表面复合对基区输运系数的影响可表示为对均匀基区对缓变基区S为复合速率非理想效应3.4.5集电极集边效应◆发射区电流分布高发射结偏压下，发射结边缘的电流远远大于中间部分的电流,这种现象称为发射极电流集边效应(