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霍尔(Hall)传感器
一、霍尔效应
半导体薄片置于磁场中，当在板的长度方向通以电流I时，在板的宽度b方向产生电动势UH(称为霍尔电势)，这种现象称为霍尔效应。;
1
b
c
是由于运动电荷受磁场中洛仑兹力;
1.在磁场中通以电流I时，半导体材料中的电子将沿I的反方向运动。
2.电子在磁场中受洛伦兹力FL的作用而发生偏转，使板的一侧积聚大量电子，板的另一侧因缺少电子而积累正电荷，从而在两侧面间形成一个电场E。
3.电场E产生阻止电子偏转的电场力FE，随着电荷积累的增加，FE也增大。
4.当电场力FE＝FL时，电子的积累达动态平衡，输出霍尔电势UH;
三、霍尔元件
?霍尔元件(霍尔传感器)：板厚d远小于板宽b和板长，属半导体磁敏传感器。;
;
霍尔电势是关于I、B、9三个变量的函数，即
EH=KHIBcos9
使其中2个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中1个量，其余2个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。;
?位置测量
用作终端位置开关，用于无接触地监测机器部件的位置。;
;
微位移测量;
转速测量;
零件计数
?铁磁物质通过霍尔元件上方时，会导致磁场变化，从而使霍尔电势发生变化，记录电势的变化可对通过的零件进行计数。;
电流计
当电流I流过导线时，导线周围将产生磁场B，B与I成正比，该磁场可通过软磁材料来聚集，然后;
钢丝绳断丝检测;
他把机械工程同控制论、信息论、系统论紧密结合，致力于同微电子技术、计算机技术、信息技术、网络技术等新兴技术领域的交叉研究，特别是在先进制造技术、设备诊断、信号处理、无损检测新技术、人工智能与神经网络的应用方面取得一系列成果。
获国家自然科学奖、国家发明奖、省部级科技奖20项。发表学术论文500余篇，出版专著教材12种。
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