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三氧化钼薄膜制备与传感器性能研究进展

摘要

MoO3是一种宽禁带的n型半导体材料，独特的层状结构和钼的变价使其成为电致变色器件、气敏传感器、催化剂等领域的研究热点。本文以MoO3的结构与性质作为综述的出发点，简述了MoO3结构的特殊性及性质背后的机理。结合薄膜制备技术和纳米科技的发展趋势，介绍了MoO3薄膜的不同制备工艺及各自的优缺点，并重点概述了提高MoO3气敏性能的常用方法。最终，对MoO3传感器的应用前景和未来研究方向做出了展望。

关键词：三氧化钼薄膜气敏性能

ABSTRACT

MoO3isonekindofwide-band-gapn-typesemi