制程升级产能跃进311地震对全球记忆体产业影响有限.pptVIP

2011年3月11日下午日本東北地方三陸外海發生震度高達芮氏9.0級強震，除讓離震央最近的福島縣、宮城縣受創尤為嚴重外，位於福島縣核電廠受損所造成幅射外洩及停電所帶來後續災害至今仍帶來諸多問題。日本為全球僅次於南韓的記憶體生產重鎮，也因此，在這次震災後的第1個交易日，包括DRAM與NANDFlash等記憶體產品，在現貨市場(SpotMarket)報價皆同步上揚，其中，尤以32GbMLC的NANDFlash單日漲幅高達20.5%最為驚人，16GbMLC的NANDFlash單日漲幅亦達16.8%。至於原本價格處於跌勢的DRAM產品單日漲幅也多在7%以上，這也意味著本次日本大地震對全球記憶體市場造成某種程度衝擊。除因對記憶體廠商產能受損所造成的疑慮外，全球最大矽晶圓供應商信越化學旗下信越半導體，其主要矽晶圓生產線設置於本次震災受損最重的福島縣境內，對於全球記憶體產業上游供應鏈是否會發生供料不足問題，亦將是未來觀察重點。*全球NANDFlash市場產值從2008年114億美元成長至2010年191.7億美元，其中，東芝(Toshiba)僅次於三星電子(SamsungElectronics)，為全球第2大NANDFlash供應商。東芝來自NANDFlash營收貢獻從2008年32.1億美元成長至2010年66.5億美元，NANDFlash市場的全球市佔率則從2008年28%上升至2010年35%，不但與三星間的差距有所縮短，亦顯示東芝對全球NANDFlash市場的影響力與日俱增。*爾必達為全球第3大DRAM供應商，產出規模僅次於三星與海力士(Hynix)，2008~2010年全球市佔率維持在16%~18%間，對全球DRAM市場亦具相當程度影響力。爾必達除擁有位於日本廣島的廣島廠13萬片12吋晶圓的月產能外，尚擁有位於台灣台中的瑞晶電子8萬片12吋晶圓月產能，2011年第1季瑞晶電子產能將全數從63nm製程升級至40nm製程，將有利於2011年爾必達出貨量成長與全球市佔率的提升。*歷經2008年下半的金融海嘯洗禮後，東芝已將NANDFlash產能全數集中於位於三重縣四日市的四日市工廠，目前產能包括月產能11萬片12吋晶圓的Fab-3與月產能15萬片12吋晶圓的Fab-4。預計Fab-5將於2011年第1季量產。在311地震後，各產線已全面復工，但可能因為交通與物流系統受阻導致出貨延誤。爾必達於日本境內DRAM產線則僅有月產能13萬片12吋晶圓的廣島廠，311震災後，部份微顯影機台雖因地震因素需要重新設定，但至3月14日，亦已全數復工。在歷經311震災後，日本無論DRAM或NANDFlash產能皆已全數復工，也說明了單純就產能而言，311震災對日本記憶體產業影響有限。*雖然日本記憶體廠商本身都已全面回復生產，但用於IC製造上游關鍵原料之一的矽晶圓產能卻在本次震災中受到重創。其中，全球第1大矽晶圓供應商信越化學旗下的信越半導體，雖然自2007年以來，就為分散風險，將矽晶圓產能分散至信越半導體北美公司、三益半導體、長野電子等3個據點，但最主要生產據點仍在位於本次震災最嚴重的白河工廠。信越半導體整體矽晶圓月產能達120萬片12吋晶圓以上，全球市佔達33%，其中，白河工廠月產能即高達80萬片12吋晶圓以上，全球市佔率達22%，受福島核電廠受損所造成的停電影響，白河工廠遲遲無法復工，將有可能面臨造上游半導體用矽晶圓短缺的問題發生。全球第2大矽晶圓供應商SUMCO，月產能達105萬片矽晶圓，2010年全球市佔率達29%。雖然SUMCO矽晶圓的主要產能都集中於九州的佐賀工廠與伊萬里工廠，但位於山形縣的米沢工廠亦同樣受到停電影響無法復工，目前SUMCO正考慮是否將米沢工廠的產能移至佐賀工廠或伊萬里工廠。*半導體用矽晶圓出貨量從2004年62.6億平方吋逐年成長至2007年86.6億平方吋，但在次貸風暴與金融海嘯相繼對全球景氣造成負面影響下，全球矽晶圓出貨量於2008年、2009年出現連續2年下滑，2010年則在全球景氣回復，對電子產品需求明顯增加，加上台積電、聯電等晶圓代工廠持續擴充12吋晶圓產能的帶動下，全球矽晶圓出貨量達93.7億平方吋新高。但在此次日本震災導致全球矽晶圓產能頓時減少22%的情況下，其他矽晶圓供應商應會於此刻增加產能，甚至信越半導體本身也應會提出相關因應方案。*在出貨量與平均銷售單價(AverageSalePrice；ASP)同時推升下，全球半導體用矽晶圓產業產值從2004年77.4億美元逐年成長至2007年124.9億美元歷史高點，同樣也在次貸風暴與金融海嘯的負面影響下，全球矽晶圓出貨量於2008年、2009年出現連續2年下滑，ASP更是從2007年1.4