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实验二晶体管元件的认识和测量;2、用数字万用表鉴别晶体三极管
〔1〕晶体管的管脚和类型的识别：
①先判断基级
②判别类型
③集电极和发射极的判断
〔2〕晶体管性能好坏的检查;Ib（μA）;Q;B、主要参数
电流放大系数：
集电极-基极反向饱和电流〔发射极开路〕
集电极-发射极反向饱和电流〔基极开路〕
集电极最大允许电流
集电极最大允许功率损耗
反向击穿电压
〔集电极开路〕
〔发射极开路〕
〔基极开路〕;4、三极管输出特性曲线及其逐点测量法示意图;UC;7、XJ4810型半导体管特性图示仪;实验内容
1、用万用表鉴别晶体三极管的性能
〔1〕先判断晶体管的基极；
〔2〕判断晶体管的集电极；
〔3〕判断晶体管的类型；
〔4〕利用数字万用表测晶体管hfe值。
将实验结果记录于以下表中.;2、用XJ4810型晶体管特性图示仪测量晶体管的特性曲线与参数
〔1〕测稳压管2CW4正反向伏安特性，在方格纸上记以下图示仪所显示的特性曲线，并记录稳定电压VZ。
〔2〕晶体三极管输出特性测量
①测出9014共发射极连接的输出特性曲线族，并用方格纸记下曲线分别估算线性区的β值。
②分别求出当VCE＝3V时，IC＝5mA情况下管子的β值。
〔3〕晶体三极管输入特性测量
①测出3AX31和9014两管共发射极连接的输入特性曲线，在方格纸上记以下图示仪所显示的特性曲线族。
②从输入特性曲线上求取IB=20uA时，9014、3AX31的VBE值。
〔4〕晶体三极管反向击穿电压
V〔BR〕CEO的测量
测出3AX31和9014两管〔取ICEO=2mA〕的V〔BR〕CEO将击穿曲线记录于方格纸上，并求取V〔BR〕CEO的值。
〔5〕晶体管穿透电流的测量〔VCEO=10V〕
测出3AX31的ICEO曲线，用方格纸记录图示仪的ICEO曲线。;9013(NPN)半导体管测试条件;3AX81(PNP)半导体管测试条件;
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