微波集成电路 课件 第六章 微波单片集成技术.ppt

负载牵引测试系统原理MMIC封装封装对器件有何影响？*****电容电容电容的计算可以由平行板电容器的计算公式得到，由电容介质引入的损耗电导可以由下式得到，金属的损耗电阻R11和R22由金属趋肤电阻的计算公式得到，由金属导带引入的电感的计算是建立在微带线理论的基础上的，C11和C22分别是上、下平行板对地电容，MIM电容模型电容模型验证尺寸为200×484μm2电容的测量值与计算值的比较电容电阻通孔空气桥其它元件有源器件模型有源器件建模概述模型要求:1）能够真实反映器件工作时的物理特性；2）足够的精度，在很宽的频带内仍能保证足够的精度；3）在保证精度的前提下，模型简单；4）容易确定模型有关参量。5）能够准确预测器件工作时的线性和非线性特性。建模方法概述方法种类优点缺点基于物理数值模型理论上准确;适用于各种物理结构和工艺参数的MESFET；可以预研究器件。过分耗机时，在CAD应用中正在完善；准确度依赖模型，精度有所局限。解析模型非常适合器件设计，尤其是MMIC设计和特性模拟。适用CAD技术由于加工过程中不可预知因素（缺陷等），因此必须以测量的方法确定其元件值及特性；精度较差。基于测量经验模型简单，比较准确，适用于CAD技术。应用最为广泛。必须制造出用于测试的器件为前提，不适合超前器件的研究。表格模型模型精确，易于建模，通用性好。测试数据多；会出现收敛、可微等问题；模型精度依赖测试数据的精度；不能对预研。建模方法电路软件网络分析仪(S参数)I-V测试仪(I-V特性)建模软件(模型参数)代表性器件模型第一代半导体SiCMOS，SiGeHBT,SiGeBiCMOSBSIM4，VBIC第二代半导体GaAsMESFETGaAspHEMT,InPpHEMT，Curtice、TOM、Martaka、EEHEMT第三代半导体SiCMESFET，GaN异质结器件HEMTModifiedmodels典型微波半导体器件及其模型模型模型库的建立和使用模型CadenceLayout,LVSandDRCCheckCircuit-LevelSimulationADSCircuit-LevelandEMSimulationLayout,DRCCheckAnsoftHFSSEM-LevelSimulationAWRMicrowaveOfficeCircuit-LevelandEMSimulationLayout,DRCCheckIC-CAPModellingSoftware……Co-simulation模型MMIC工艺线MMIC电路晶圆代工厂:Triquent\WIN\UMS\OMMIC\NorthropGrumman\Raytheon\HRLLab\Agilent\skyworks\M/A-COM\RFMD\Eudyna成本、频率、功率密度MMIC工艺线MMIC设计Ka波段四次谐波混频器MMICWhat?毫米波混频器是接收/发射机系统中一个必不可少的部件。主要技术参数：RF和IF频率、CL、IRR等。MMIC设计fRFfLOfIMfIFfIFfIFfRFfLOfIFfRF-fLO=fLO-fIM=fIFWhy?4th谐波可降低源频率的要求。MMIC设计How?指标：RF:34~38GHz；IF:0~3GHz变频损耗(CL)：20dB；镜频抑制度（IRR）:20dB综述：了解行业内制作“Ka频段四次谐波混频器”的方法及其优缺点”，为制定方案做准备。3.方案；4.设计；5.实验验证。MMIC设计总体方案优点：1.变频损耗低；2.结构简单；缺点：隔离度中等工艺线选取设计软件选择：AgilentADS设计内容1-同相功分器设计内容2-90度移相器设计内容3-单平衡4次谐波混频器步骤1：原理图仿真步骤2：2.5维Momentum仿真步骤3：原理图和场共仿真优化和布版布版仿真结果仿真结果实验验证MMIC的测试MMIC的测试和封装AgilentN5250C10MHz~110GHzAnritsuME7828A70KHz~110GHzRSZVA11010MHz~110GHzAgilentN5247AUpto1.05THz