制造材料结构与理论.pptVIP

肖特基型接触：金属和掺杂浓度较低半导体结合面形成。类似PN结欧姆接触：如果半导体掺杂浓度足够高，隧道效应抵消势垒的影响，形成了双向低欧姆电阻值。半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成01金属，合金，多晶硅，金属硅化物器件互连材料包括02不同材料之间的互连VLSI至少采用两层金属布线。第一层金属主要用于器件各个极的接触点及器件间的部分连线，这层金属通常较薄，较窄，间距较小。第二层主要用于器件间及器件与焊盘间的互联，并形成传输线。寄生电容大部分由两层金属及其间的隔离层形成。多数VLSI工艺中使用3层以上的金属。最上面一层通常用于供电及形成牢固的接地。其它较高的几层用于提高密度及方便自动化布线。两层与多层金属布线0.35umCMOS工艺的多层互联线多数情况下，IC特别是VLSI版图设计者的基本任务是完成金属布线。因为基本器件其它各层的版图通常已经事先做好，存放在元件库中。门阵列电路中，单元电路内的布线也已经完成。对于电路设计者而言，布线的技巧包含合理使用金属层，减少寄生电容或在可能的情况下合理利用寄生电容等。0102IC设计与金属布线2.1.6多晶硅多晶硅与单晶硅都是硅原子的集合体。多晶硅特性随结晶度与杂质原子而改变。非掺杂的多晶硅薄层实质上是半绝缘的，电阻率为300W·cm。通过不同杂质的组合，多晶硅的电阻率可被控制在500—0.005W·cm多晶硅被广泛用于电子工业。在MOS及双极器件中，多晶硅用制作栅极、形成源极与漏极（或双极器件的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄PN结的扩散源、高值电阻等。多晶硅的制造技术多晶硅层可用溅射法，蒸发或CVD外延生长技术沉淀。多晶硅可用扩散法、注入法掺杂，也可在沉淀多晶硅的同时通入杂质气体（In-Situ法）来掺杂。扩散法形成的杂质浓度很高（=1021cm-3），故电阻率很小。注入法的杂质浓度为1020cm-3，电阻率约是它的10倍。而In-Situ法的浓度为1020---1021cm-3。三种掺杂工艺中，后两种由于可在较低的工艺温度下进行而在VLSI工艺中被优先采用。材料系统指的是在由一些基本材料(如Si,GaAs或InP)制成的衬底上或衬底内，用其它物质再生成一层或几层材料。01材料系统与掺杂过的材料之间的区别:在掺杂材料中,掺杂原子很少在材料系统中,外来原子的比率较高022.1.7材料系统半导体材料系统是指不同质（异质）的几种半导体(GaAs与AlGaAs,InP与InGaAs和Si与SiGe等)组成的层结构。应用:制作异质结双极性晶体管HBT。制作高电子迁移率晶体管HEMT。制作高性能的LED及LD。半导体材料系统21半导体/绝缘体材料系统是半导体与绝缘体相结合的材料系统。其典型代表是绝缘体上硅(SOI:SiliconOnInsulator)。SOI:由于在器件的有源层和衬底之间的隔离层厚，电极与衬底之间的寄生电容大大的减少。器件的速度更快，功率更低。SOI制造技术：注入氧隔离（SIMOX）和晶片粘接（P.14）3半导体/绝缘体材料系统了解集成电路材料1半导体基础知识2PN结与结型二极管3双极型晶体管基本结构与工作原理4MOS晶体管基本结构与工作原理5第二章IC制造材料结构与理论固体材料分为两类：晶体和非晶体。从外观看晶体有一定的几何外形，非晶体没有一定的形状。用来制作集成电路的硅、锗等都是晶体，而玻璃、橡胶等都是非晶体。01030204052.2.1半导体的晶体结构2.2.2本征半导体与杂质半导体本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。但是，当半导体的温度升高（例如室温300K）或受到光照等外界因素的影响时，本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。在外加电场作用下，电子和空穴的运动方向相反，但由于电子和空穴所带电荷相反，因而形成的电流是相加的，即顺着电场方向形成电子和空穴两种漂移电流。杂质半导体根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体可以分为N型半导体和P型半导体。P型半导体掺入少量的3价元素，如硼、铝或铟，有3个价电子，形成共价键时，缺少1个电子，产生1个空位。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。3价杂质的原子很容易接受价电子，称为“受主杂质”。N型半导体掺入少量的5价元素，如磷、砷或锑，有5个价电子，形成共价键时，多余1个电子。电子为多数载流子，空穴为少数载流子。在半导体内产生多余的电子，称为“施主杂质”。2314