YJ扬杰SiC MOSFET YJD206560TLGH规格说明书.pdf

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人RoHSs

YJD206560TLGHcowpuiawr

SiliconCarbidePowerMOSFET〈N-ChannelEnhancement)

650V

lo28C，57AFeatures好和

seHighspeedswitching

Rosecn60moeEssentiallynoSwitchinglosses

eReductionofheatsinkrequirements

esMaximumworkingtemperatureat175C

seHighbleckingvoltage

eFastIntrinsicdiodewithlowrecoverycurrent

esHigh-frequencyoperation

seHalogenfree,RoHScompliant

TypicalApplications

Typicalapplicationsareinpowerfactorcorrection(PFC),solar

inverteruninterruptiblepowersupply,motordrives,photovoltaic

inverterelectriccarandcharger.

MechanicalData

@Package:TOLL

eTerminals:Tinplatedleads

ePolarity:Asmarked

@MaximumRatings(Tc=25CUnlessotherwisespecified)

PARAMTETERSYMBOL|UNITVALUETESTCONDITIONSNOTE

DevicemarkingcodeD206560TLGH

Drainsourcevoltage

@TF25C3VpsmaxV650Ves=0V,lo=100uA

GatesourcevoltageAbsolutemaximumvalues

@TF25CYesmax-10/+25(ACf1Hz,dutycycle19%)Note1

Gatesourcevoltage1

@TF25CVesonV-4/+18Recommendedoperationalvalues

Continuousd

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