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《介电衬底上石墨烯可控制备及生长机制研究》

一、引言

随着纳米科技的不断发展，二维材料如石墨烯因其独特的电学、热学及力学性质在科学界和工业界均得到了广泛关注。尤其是在电子设备、传感器、能源存储等领域，石墨烯的应用前景广阔。然而，其制备过程及生长机制的研究仍需深入。本文将重点探讨介电衬底上石墨烯的可控制备技术及其生长机制的研究进展。

二、介电衬底上石墨烯的制备技术

1.化学气相沉积法（CVD）

化学气相沉积法是一种常用的制备石墨烯的方法。通过将碳源气体在高温下裂解，使碳原子在介电衬底上沉积并形成石墨烯。此方法可制备出高质量、大面积的石墨烯，且具有良好的可控制性。

2.湿化学法

湿化学法是通过

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