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碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法

一、引言

碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电

力电子、微波器件、高温传感器等领域具有广泛的应用前景。然而，在SiC晶

片的制备和加工过程中，表面金属残留成为了一个亟待解决的问题。金属残留

不仅会影响SiC晶片的电学性能和可靠性，还可能对后续的器件制造和封装过

程造成不利影响。因此，开发高效的碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法，对

于提高SiC器件的质量和性能具有重要意义。

二、清洗方法概述

碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法主要包括化学清洗、物理清洗和物理化学

复合清洗三大类。化学清洗主要利用化学反应去除金属残留，物理清洗则通过

物理作用去除污染物，而物理化学复合清洗则结合了化学和物理两种清洗方式

的优点，能够更高效地去除金属残留。

三、化学清洗方法

化学清洗方法通常使用特定的化学溶液，通过化学反应去除SiC晶片表面的金

属残留。常用的化学清洗溶液包括硫酸-双氧水（SPM）溶液、氨水-双氧水-水

（APM）溶液、盐酸-双氧水-水（HPM）溶液和氢氟酸-双氧水-水（HFPM）

溶液等。

SPM溶液清洗

SPM溶液是一种强氧化剂，能够去除SiC晶片表面的有机物和金属离子。清洗

时，将SiC晶片置于SPM溶液中浸泡，通过加热和搅拌加速化学反应，使金

属残留物溶解在溶液中。清洗后，用去离子水冲洗干净，去除残留的SPM溶

液。

APM溶液清洗

APM溶液具有碱性，能够中和SiC晶片表面的酸性残留物，并去除金属离子。

清洗时，将SiC晶片置于APM溶液中浸泡，通过加热和搅拌加速化学反应。

清洗后，同样用去离子水冲洗干净。

HPM和HFPM溶液清洗

HPM和HFPM溶液主要用于去除SiC晶片表面的氧化物和金属残留。HPM

溶液中的盐酸能够溶解氧化物，而HFPM溶液中的氢氟酸则能够去除硅的氧化

物和金属氟化物。清洗时，将SiC晶片置于相应的溶液中浸泡，通过加热和搅

拌加速化学反应。清洗后，用去离子水冲洗干净。

四、物理清洗方法

物理清洗方法主要通过物理作用去除SiC晶片表面的金属残留，常用的方法包

括超声波清洗、兆声清洗和喷砂清洗等。

1.超声波清洗

超声波清洗利用超声波在液体中产生的空化效应和微射流效应，对SiC晶片表

面进行冲击和剥离，去除金属残留。清洗时，将SiC晶片置于超声波清洗机

中，用去离子水作为清洗液，通过超声波的振动作用去除金属残留。

2.兆声清洗

兆声清洗是一种高频声波清洗方法，通过高频声波的振动作用去除SiC晶片表

面的金属残留。与超声波清洗相比，兆声清洗具有更高的频率和更强的振动作

用，能够更高效地去除金属残留。清洗时，将SiC晶片置于兆声清洗机中，用

去离子水作为清洗液，通过兆声波的振动作用去除金属残留。

3.喷砂清洗

喷砂清洗是一种利用高速喷射的砂粒对SiC晶片表面进行冲击和磨削的清洗方

法。通过喷砂清洗，可以去除SiC晶片表面的金属残留和氧化物层。然而，喷

砂清洗可能会对SiC晶片表面造成一定的损伤，因此需要谨慎使用。

五、物理化学复合清洗方法

物理化学复合清洗方法结合了化学清洗和物理清洗的优点，能够更高效地去除

SiC晶片表面的金属残留。常用的物理化学复合清洗方法包括化学机械抛光

（CMP）和氧化-溶液清洗等。

1.化学机械抛光（CMP）

CMP是一种利用化学腐蚀和机械摩擦共同作用去除SiC晶片表面污染物的清洗

方法。通过CMP清洗，可以去除SiC晶片表面的金属残留、氧化物和有机物

等污染物。清洗时，将SiC晶片置于CMP设备中，用含有抛光剂的溶液作为

清洗液，通过抛光垫和抛光盘的摩擦作用去除金属残留。

2.氧化-溶液清洗

氧化-溶液清洗是一种先在SiC晶片表面形成一层氧化膜，再用溶液清洗去除金

属残留的方法。通过在SiC晶片表面形成一层致密的氧化膜，可以防止金属残

留物进一步渗透到晶片内部。清洗时，先将SiC晶片置于氧化氛围中进行氧化

处理，形成一层氧化膜；然后用含有清洗剂的溶液对晶片进行清洗，去除金属

残留和氧化物层。

六、结论

碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法多种多样，包括化学清洗、物理清洗和物

理化学复合清洗等。在实际应用中，需要根据SiC晶片的材质、污染物的种类

和清洗要求等因素选择合适的清洗方法。同时，还需要注意清洗过程中的安全

问题和环保要求，确保清洗过程不会对SiC晶片造成损伤或产生有害的废弃

物。通过合理的清洗方法和工艺参数的选择，可以有效地